应变硅mos器的应变特性.pdfVIP

摘要 摘要 近年来，应变硅(StrainedSi)技术由于在提高MOS器件性能方面的卓越表 现而备受关注。例如，通过在沟道中引入适当的压应力和张应力能分别提高PMOS 的空穴迁移率和NMOS的电子迁移率。因此，通过工艺、材料、结构参数的优化 设计，研究半导体MOS器件中应力、应变的控制有重要的科学意义和实用价值。 超深亚微米半导体结构中的局域微应力、应变的精确测量通常必须借助复杂 的微结构分析、测量手段。本文探索了运用有限元分析工具ANSYS研究具有典型 件的应力应变分布情况和影响因素。首先介绍应力应变的关系，发现它们均只与 材料的杨氏模量和泊松比有关，确定了有限元软件ANSYS的可行性，再利用会聚 应变的计算结果进行了比较，发现能很好吻合，证明了有限元方法的可靠性。 建立单轴SiGe源漏MOS器件的二维模型后，根据SiGe结构的杨氏模量和虚 拟热膨胀系数的不同，再对其均匀升温1000℃后，以模拟晶格结构的不匹配所带 来的应力应变，所得图形中应变的分布很有层次，能很好的说明器件沟道内应变 的分布。再逐步模拟了不同的Ge组分、源漏间距、源漏刻蚀深度和抬高高度对器 件的影响，分布绘制出它们与应变值的曲线趋势图