应变硅cmos件的自热效应与热载流子效应.pdfVIP

摘要 摘要 随着集成电路技术的快速发展，等比例缩小技术已经不能满足摩尔定律，应 变硅MOSFETs技术成为后硅时代研究的热点。应变硅技术通过拉伸或压缩硅晶 格达到不减小器件尺寸仍可提高器件性能的目的，同时应变硅技术与传统体硅工 艺兼容，减少了改善工艺设施所带来的投资，降低了生产成本。研究应变硅CMOS 器件的性能以及可靠性问题也日益重要。 论文介绍了几种常用的单轴应变以及双轴应变的应变机理、材料性能和工艺 条件。分析了双轴应变中驰豫SiGe缓冲层的组分、厚度和生长方式。 论文主要研究了双轴应变硅CMOS器件的自热效应和热载流子效应。由于双 轴应变硅CMOS器件引入了导热率较硅低的SiGe固溶体，这阻碍了器件在加电 工作时的散热，所以比较体硅CMOS器件，自热效应在双轴应变硅器件中对可靠 性的影响要大得多。论文通过对器件的材料和结构的分析，说明了产生自热效应 的原因，介绍了现阶段对自热效应的测量方式和抑制自热效应的方法。应用 ISE．TCADl0．0软件对体Si器件与双轴应变硅器件的转移特性进行了仿真，比较 了两者的差异；对双轴应变硅器件在考虑自热效应前后的输出特性进行了仿真， 证明了自热效应对器件的影