应变硅主次能谷子迁移率的研究.pdfVIP

摘要 摘要 按比例缩小使集成电路的性能得以不断提高，但这并不能够从物理本质上增 强载流子的迁移率。提高载流子输运性能的关键方法就是改变材料特性。应变Si 的能带结构和散射机制发生变化，载流子迁移率得以增强，所以受到了极大的关 注。在目前的集成电路产业中，基于应变Si技术的器件和电路已经得到运用。 本论文主要研究应变Si导带主能谷和次能谷的电子迁移率。首先分析了应变 硅的形成机理，研究了不同类型的应变对Si的能带结构的影响，得到了状态密度 有效质量和电导有效质量等研究电子迁移率的主要物理参数。接着基于散射理论 的量子力学基础，具体分析了与电子散射密切相关的三种散射机制：离化杂质散 射、晶格振动散射中的声学声子散射以及谷间声子散射，建立了这三种散射机制 的模型，获得了应变Si主能谷和次能谷的动量弛豫时间和电子散射几率，并基于 该结果得到了应变Si主能谷和次能谷的电子迁移率，同时分析了主能谷的迁移率 增强的原理。由于次能谷的迁移率比主能谷的迁移率低，参考RWH标准，最后分 析得出了应变Si存在较弱的电子转移效应的结论。 相对于体Si有了很大的提高。另外，本文对应变Si次能谷电子迁移率研究尚属首 次。