应变硅载流子迁率增强机理及模型研究.pdfVIP

摘要 摘要 应变Si具有迁移率高、能带结构可调的优点，且能与传统的体Si工艺兼容。 在目前的集成电路产业中，基于应变Si技术的器件和电路已经得到运用。在应变 Si技术得到实际运用的同时，相关理论也在不断发展。从理论上研究应变硅迁移 率增强机理，可以明确应变硅材料性能提高原因，以及指导新型应变硅器件和电 路设计。 本论文主要研究应变Si载流子迁移率增强机理及模型。首先分析了应变硅形 成机制。通过求解薛定谔方程和运用形变势理论，得到了应变硅的能带结构，求 出了禁带宽度的变化量。进而研究了状态密度有效质量、状态密度、本征载流子 浓度等求解迁移率所需的物理参数。运用弛豫时间近似方法求解玻耳兹曼传输方 程，推导得到了迁移率与弛豫时间的表达式。利用求薛定谔方程和泊松方程自洽 解得到的子能带能量及波函数，计算出了声子散射电子迁移率。从点电荷产生的 散射势入手，考虑电离杂质和固定电荷这些散射中心的总体分布对电子的散射作 用，在此基础上导出了散射几率，求出了库仑散射迁移率。得出了总的迁移率表 达式。 最后，通过仿真分析了应变硅迁移率与有效电场、温度、掺杂浓度和应力的 关系，并与经验迁移率模型进行了对比。 关键词：应变硅迁移率增强机理模型研究