新型esd防护件与电路的结构设计及特性分析.pdfVIP

摘要 摘要 随着半导体制造工艺的进步，器件的特征尺寸越来越小，静电放电(ESD， Electro-Static Discharge)已经成为集成电路中最重要的可靠性问题之一。许多应用 成熟的ESD防护器件与电路结构的防护能力也不断地降低，因此，为了有效地提 高纳米级集成电路中的ESD防护能力，改进与设计新型的ESD防护器件与电路结 构就显得尤为重要了。 在对现有ESD防护研究的基础上，本论文重点对新型ESD防护器件与电路结 构进行了较深入地研究。首先详细阐述了闩锁效应的理论模型，这将为最新出现 Controlled 的系统级ESD防护和可控硅(SCR,SiliconRectifier)器件结构统一理论 提供理论支持，同时也据此得出了更全面的预防闩锁效应防护措施。接着对最新 出现的系统级ESD防护进行了系统分析，根据系统级ESD失效机理，提出了软硬 件协同设计的解决方案并有效地解决系统级ESD失效引起的闩锁效应。最后介绍 分析了不同ESD箝位电路对系统级ESD的免疫能力，同时给出了能有效改善箝位 电路的抗系统级ESD防