新型igbt器的设计与建模.pdfVIP

摘要 Gate 绝缘栅双极晶体管IGBT(InsulatedBipolarTransistor)于结合了 MOSFET和BJT各自的优点，表现出开关速度高、饱和压降低和可耐高压、大 电流等优良特性，是一种用途十分广泛的半导体功率器件，许多领域已经逐步取 产品的需求量同趋增多，但国内暂时还没有独立的生产厂家，所需的IGBT产品 主要依赖进口，因此，开发和研制具有自主知识产权的性能优良的IGBT器件已 成为迫切需要，本文鉴于此背景，努力和国内同行一道投入该领域中进行积极探 索。 本文首先对IGBT的工作原理进行了简述，接着又简单介绍了半导体器件计 算机模拟的相关知识。在对目前较为流行的IGBT器件结构载流子存储型槽栅 Trench IGBT(CSTBT,Carrier-StoredIGBT)分析的基础上，提出了一种新型的功率 Hole．barrierTrench 半导体器件FH—TIGBT(FullLayer IGBT)，在槽栅下新增的N 型空穴阻挡层使得器件具有更低的饱和压降和抗短路能力，同时具有CSTBT的 其他优点。本文在工艺上仿真实现了新型结构的IGBT器件，又进一步对