半导体物理学Chapter.ppt

半导体物理学 理学院物理科学与技术系 第六章 pn结 6.1 pn结及其能带图 6.2 pn结电流电压特性 6.3 pn结电容 6.1 pn结及其能带图 1、pn结的形成和杂质分布 6.2 pn结电流电压特性 6.3 pn结电容 引起上述差别的主要原因有： 以下重点B和C A表面效应； B势垒中的产生与复合； C大注入条件； D串联电阻效应。 B 势垒中的产生和复合 （1）势垒区的产生电流 pn结处于热平衡状态时，势垒区内通过复合中心的载流子产生率等于复合率。pn结加反向偏压时，势垒区内的电场加强，所以在势垒区内，产生率大于复合率，具有净产生率，形成一部分反向电流，称为势垒区产生电流。 （2）势垒区的复合电流 在正向偏压下，从n区注入p区的电子和从p区注入n区的空穴，在势垒区内复合 了一部分，构成了另一股正向电流，称为势垒区复合电流。 由复合得到的电流密度为： 总的正向电流密度应为扩散电流密度及复合电流密度之和， 由上式看出： 1 正向电流密度由两项构成，总的来说 2 扩散电流和复合电流之比与外加电压V有关； 3 复合电流减少了pn结中的少子注入，这是三极管的电流放大系数在小电流时下降的原因。 C 大注入情况 通常将正向偏压较大时，注入的非平衡少子浓度接近或超出该区多子浓度地区情况，称为大注入情况。下面以p＋－n结为例进行讨论。 P+-n结的正向电流主要是从p+区注入到n区的空穴电流，电子电流可以忽略。 首先，电注入的空穴浓度 很大，接近或超过n区多子浓度， 注入的空穴在n区边界形成积累，并不断向n区内部扩散。为保持电中性，n区的多子（电子浓度）相应增加，也在空穴扩散区形成电子浓度分布。 其次，因为有电子浓度梯度，使电子在空穴扩散方向上也发生了扩散运动。电子、空穴间的静电引力，将产生了一个内建电场E。它对电子的漂移作用正好抵消了电子的扩散作用，即电子电流密度 ；使空穴运动加速。 计算大注入时流过p－n结的电流密度。首先计算通过截面（x＝xn）的电流密度。 空穴的扩散系数需替换 正向电流密度为： 可见，空穴的扩散系数增加一倍。正向电流密度中，空穴扩散电流密度和漂移电流密度各占一半。 当注入的空穴浓度 p+－n结势垒高度为 ，边界nn‘处的空穴浓度为： 在空穴扩散区有电压降 ，边界处能带比空穴扩散区外低 把空穴扩散区内空穴的分布近似看为线性分布，即 大注入下，电流电压关系 1 pn结电容的来源 主要包括势垒电容和扩散电容两部分。 （1）势垒电容。当pn结外加正向偏压时，势垒区的电场随正向偏压的增加而减弱，势垒区宽度变窄，空间电荷数量减少。类似于外加正向偏压增加时，有一部分电子和空穴“存入”势垒区。反之，正向偏压减少时，有电子和空穴从空间电荷区中“取出”。 （2）扩散电容。扩散区中的电荷数量随外加电压的变化所产生的电容效应，记为 。 实验表明，pn结的势垒电容和扩散电容都随外加电压而变化，表明它们是可变电容。 2 突变结的势垒电容 势垒电容是非线性电容，下面分突变结和线性缓变结加以讨论。 （a）突变结势垒区中的电场、电势分布 势垒区宽度 势垒区正负电荷相等 势垒区内的泊松方程为： 将上式积分一次有 C1，C2是积分常数，可由边界条件确定。 势垒区以外是电中性的，有 势垒区中的电场为： 在x＝0处，电场强度达到最大值，即 积分得势垒区中各点的电势为 D1，D2是积分常数，由边界条件确定。设p型中性区的电势为零，则在热平衡条件下边界条件为： 代入有： * * 在一块p型（或n型）半导体单晶上，用适当的工艺方法 （如合金法、扩散法、离子注入等），把n型（p型）掺入 其中，使这块单晶的不同区域分别具有n型和p型的导电类 型，在两者交界处就形成pn结。 （1）合金法 杂质分布 突变结 （2）扩散法 杂质分布 线性缓变结 2 空间电荷区 空间电荷区的形成 扩散、漂移运动 3 pn结能带图 pn结费米能级处处相等标志了每一种载流子的扩散电流和漂移电流互相抵消，没有净电流流过pn结。 上述结论也可从电流密度方程式推出。 考虑电子电流，流过pn结的总电子电流密度应等于电子的漂移电流密度和扩散电流密度之和。 本征费米能级Ei的变化与电子电势能－qV（x）的变化一致，所以 同理，空穴电流密度为： 对于平衡pn结， 4 pn结接触电势差 若 5 pn结的载流子分布 同理， 势垒区内电势能比n区导带底高0.1eV的点处载流子浓度为： 如设势垒高度为0.7V，则该处空穴浓度为 1 非平衡状态下的pn结 正向偏压下p－n结的费米能级 反向偏压下p－n结的费