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第二章 电力电子器件概述 2.1 简介 2.2 二极管 2.3 晶闸管 2.4 可控开关的理想特性 2.5 双极结晶体管和达林顿管 2.6 电力场效应晶体管（MOSFET） 2.7 门极可关断晶闸管（GTO） 2.8 绝缘栅双极晶体管（IGBT） 2.9 MOS控制晶闸管（MCT） 2.10 可控开关的比较 2.11 驱动和缓冲电路 2.12 半导体功率器件的选择 下 页 上 页 返 回 电力电子器件概述 + iD + UDS - UGS - D S G C E G uGS uDS iD 0 IGBT与MOSFET、BJT和GTO的某些优点类似: 像MOSFET一样，输入阻抗高，开关器件的损耗小 同BJT一样，可承受较高电压，但导通压降低 与GTO类似，能够被设计承受一定的反向压降 iD uDS off on 0 下 页 上 页 返 回 电力电子器件概述 Turn-off Turn-on uAK iA K P-MCT G A N-MCT K G A uAK off on iA 0 MCT的优点： 比GTO的驱动电路更简单 比GTO的开关速度更快 比同等级IGBT的通态压降更低 下 页 上 页 返 回 电力电子器件概述 器件 BJT/MD MOSFET GTO IGBT MCT 功率容量 中等 低 高 中等 中等 开关速度 中等 快 慢 中等 中等 可控开关器件的