电子技术基础 第2版 中国通信学会普通高等教育“十二五”规划教材立项项目 姜桥 邢彦辰 第11章 大规模集成电路新.pptVIP

11.3.2 只读存储器（ROM） 2．集成ROM芯片 集成ROM芯片正常工作时只处于读工作方式，各种ROM芯片的引脚功能基本相同，现以可紫外线擦除可编程的ROM（EPROM）2764为例介绍 。 2764是EPROM系列产品之一，该系列产品有2716、2732、2764、27128、27256等，型号名称“27”后面的数字表示其位存储容量，如果转换成字节存储容量，将该数字除以8即可。 11.3.2 只读存储器（ROM） 2764芯片的引脚功能 地址线 数据线 片选线 输出控制线 电源线 编程脉冲输入线 VCC PGM NC A8 A11 A9 OE A10 CE D7 D 3 D 4 D 5 D 6 2764 1 14 28 15 VPP A12 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 D0 D1 D2 GND 2 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 13 12 11 10 3 4 5 6 7 8 9 11.3.2 只读存储器（ROM） 2764的工作方式 ： （1）读出方式 正常工作方式 （2）维持方式 低功耗工作方式 （3）编程方式 写入数据工作方式 （4）检验方式 （5）禁止编程 1．RAM的基本结构及工作原理 RAM一般由存储矩阵、地址译码器和输入/输出控制电路3部分组成，如图11.3.4所示。 11.3.3 随机存储器（RAM） 图11.3.4 RAM的基本结构 RAM存储单元中的数据不是预先固定的，而是随时由外部输入。为了存得住这些数据，RAM的存储单元采用有记忆功能的电路构成。 图11.3.5 输入/输出控制电路 11.3.3 随机存储器（RAM） 2．集成RAM存储器 （1）6264 6264是8K×8位的并行输入/输出SRAM芯片，采用28引脚塑料双列直插式封装。 13根地址引线（A0～A12）可寻址8K个存储地址，每个存储地址对应8个存储单元，通过8根双向输入/输出数据线（I/O0～I/O7）对数据进行并行存取。 11.3.3 随机存储器（RAM） 6264引脚功能分类： 地址线 数据线 读写控制线 片选线 输出控制线 电源线 VCC R/W CS0 A8 6264 1 14 28 15 NC A12 A7 A6 A5 A4 A3 A11 A9 OE A2 A1 A0 A10 CS1 I/O0 I/O1 I/O2 VSS I/O7 I/O3 I/O4 I/O5 I/O6 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 13 12 11 10 9 8 7 6 5 4 3 2 11.3.3 随机存储器（RAM） （2）41256 41256是256K×1位的DRAM芯片。 由于DRAM集成度高，存储容量大，因此需要的地址引线就多。 DRAM一般都采用行、列地址分时输入芯片内部地址锁存器的方法，为减少芯片外部引线数量，从而外部地址线数量减少一半。 11.3.3 随机存储器（RAM） 41256引脚功能分类： 地址线 数据线 行列控制线 写控制线 电源线 VCC DOUT A7 41256 1 8 16 9 A8 DIN WE RAS A0 A2 A1 GND CAS A6 A3 A4 A5 3 2 4 6 5 7 15 14 13 12 11 10 11.3.4 存储器容量的扩展 存储器的总容量通常比单个集成存储器芯片容量大得多，所以要多个芯片进行组合，这就是存储器容量的扩展。 按扩展方式不同分为位扩展、字扩展和字位扩展三种方式。 11.3.4 存储器容量的扩展 1．位扩展 如果存储器芯片位数不能满足要求时，应采用位扩展的连接方式，将多片ROM或RAM组合成位数更多的存储器。 位扩展的方法十分简单，只需把相同类型的存储器芯片的地址线、片选线、读写控制线都并联起来，数据端单独引出即可。 11.3.4 存储器容量的扩展 D7 I/O 1K×1位 A9 A0 CS R/W … … A0 A9 R/W CS D1 I/O 1K×1位 A9 A0 CS R/W … D0 I/O 1K×1位 A9 A0 CS R/W … … … … … … 图11.3.8 存储器的位扩展 11.3.4 存储器容量的扩展 2．字扩展 如果存储器的数据位数够用而字数不够用时，则需要采用字扩展方式，将多片存储器芯片接成一个字数更多的存储器。 字扩展时将存储器芯片的地址线、数据线、读写控制线并联，由不同的片选信号来区分各个存储器芯片所占据的不同地址范围。 图11.3.9 存储器的字扩展 D7 R/W A13 A0 CS R/W … … A0 A13 CS0 D0 A13 A0 CS R/W … D0 16K×8位（1） A1