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* * 3.5　CMOS电路 3.5.1　CMOS反相器工作原理 3.5.2　CMOS反相器的主要特性 3.5.3　CMOS传输门 3.5.4　CMOS逻辑门电路 3.5.5　CMOS电路的锁定效应及　　　 正确使用方法 图3-5-1 CMOS反相器 D G S S G D vO VDD TL T0 vI 3.5.1　CMOS反相器工作原理 　　CMOS反相器由一个P沟道增强型MOS管和一个N沟道增强型MOS管串联组成。通常P沟道管作为负载管，N沟道管作为输入管。 　　两个MOS管的开启电压VGS(th)P0， VGS(th)N 0，通常为了保证正常工作，要求VDD|VGS(th)P|+VGS(th)N。 　　若输入vI为低电平(如0V)，则负载管导通，输入管截止，输出电压接近VDD。 　　若输入vI为高电平(如VDD)，则输入管导通，负载管截止，输出电压接近0V。 图3-5-2 CMOS反相器电压传输特性 vI vO O VDD VDD VDD+VGS(th)P VGS(th)N Ⅰ Ⅱ Ⅲ Ⅳ Ⅴ 3.5.2　CMOS反相器的主要特性 　　１．电压传输特性和电流传输特性 　　CMOS反相器的电压传输特性曲线可分为五个工作区。 　　工作区Ⅰ：由于输入管截止，故vO=VDD，处于稳定关态。 　　工作区Ⅲ：PMOS和NMOS均处于饱和状态，特性曲线急剧变化，vI值等于阈值电压Vth。 　　工作区Ⅴ：负载管截止，输入管处于非饱和状态，所以vO≈0V，处于稳定的开态。 vO≈0 非饱和 截止 VDD+ VGS(th)P ≤ vI ≤VDD Ⅴ 非饱和 饱和 vO+ VGS(th)N ≤ vI＜ VDD+ VGS(th)P Ⅳ 饱和 饱和 vO+ VGS(th)P ≤ vI＜ vO+ VGS(th)N Ⅲ 饱和 非饱和 VGS(th)N ≤ vI＜ vO+ VGS(th)P Ⅱ vO＝ VDD 截止 非饱和 0≤ vI＜ VGS(th)N Ⅰ 输出 NMOS管 PMOS管 输入电压vI范围 工作区 表3-5-1 CMOS电路MOS管的工作状态表 图3-5-3 CMOS反相器电流传输特性 vI O VDD iDS VDD+VGS(th)P VGS(th)N Ⅰ Ⅱ Ⅲ Ⅳ Ⅴ V th 　　CMOS反相器的电流传输特性曲线，只在工作区Ⅲ时，由于负载管和输入管都处于饱和导通状态，会产生一个较大的电流。其余情况下，电流都极小。 　　CMOS反相器具有如下特点： 　　(1) 静态功耗极低。在稳定时，CMOS反相器工作在工作区Ⅰ和工作区Ⅴ，总有一个MOS管处于截止状态，流过的电流为极小的漏电流。 　　(2) 抗干扰能力较强。由于其阈值电平近似为0.5VDD，输入信号变化时，过渡变化陡峭，所以低电平噪声容限和高电平噪声容限近似相等，且随电源电压升高，抗干扰能力增强。 　　(3) 电源利用率高。VOH=VDD，同时由于阈值电压随VDD变化而变化，所以允许VDD有较宽的变化范围，一般为+3～+18V。 　　(4) 输入阻抗高，带负载能力强。 图3-5-4 CMOS输入保护电路 vO VDD TP TN vI C1 D2 N － D1 ··· D1′ C2 P－ P＋ P＋ N＋ R ● 　　２．输入特性和输出特性 　　(1) 输入特性 　　为了保护栅极和衬底之间的栅氧化层不被击穿，CMOS输入端都加有保护电路。 　　由于二极管的钳位作用，使得MOS管在正或负尖峰脉冲作用下不易发生损坏。 图3-5-5 CMOS反相器输入特性 vI O VDD iI －1V 　　考虑输入保护电路后，CMOS反相器的输入特性如图3-5-5所示。 vO=VOL VDD TN RL vI=VDD TP IOL 图3-5-6 输出低电平等效电路 图3-5-7 输出低电平时输出特性 VOL(vDSN) O IOL (iDSN) vI(vGSN) 　　(2) 输出特性 　　a. 低电平输出特性 　　当输入vI为高电平时，负载管截止，输入管导通，负载电流IOL灌入输入管，如图3-5-6 所示。灌入的电流就是N沟道管的iDS，输出特性曲线如图3-5-7 所示。 　　输出电阻的大小与vGSN(vI)有关，vI越大，输出电阻越小，反相器带负载能力越强。 VOH VDD TN RL vI=0 TP IOH 图3-5-8 输出高电平等效电路 图3-5-9 输出高电平时输出特性 vSDP O IOH (iSDP) vGSP VDD 　　b. 高电平输出特性 　　当输入vI为低电平时，负载管导通，输入管截止，负载电流是拉电流，如图3-5-8所示。输出电压VOH=VDD-vSDP，拉电流IOH即为iSDP，输出特性曲线如图3-5-9所示。 　　由曲线可见，|vGSP|越大，负载