PowerPoint Presentation - 东华大学.ppt

第 二 章 微型计算机主要部件 主 要 内 容 存储器的结构、分类及工作原理 输入输出接口及输入输出控制方式 常见的外部设备 外存储设备的特点、结构及工作原理 总线及中断技术 存储器系统 内存重要性 数据中转站 存储等待数据 处理 存储 显示 打印 存储器组成 由存储单元、地址选择电路、读/写电路以及控制电路所组成 存储器结构 存取数据 置地址总线 发读/写命令 存储单元的数据送到数据总线/数据总线数据送入存储单元 半导体存储器分类 随机存取存储器RAM RAM分为 静态RAM(简称SRAM) 动态RAM(简称DRAM) SRAM靠双稳态电路来存储信息 在加电后的使用期间，存储的信息不随时间而变化 DRAM靠MOS管栅极电容上的电荷来保存信息 任何电容都会漏电，所以超过一定时间(一般为1~2ms)后信息就会丢失 DRAM芯片的发展(1) FPM DRAM DRAM芯片通常划分为页面，所以称为“页面式DRAM”(Page Mode DRAM)，简称PM DRAM，其存取时间一般为120ns左右 486PC/AT机问世后，PM DRAM的速度逐步提高，人们在“页面”前加上“快速(Fast)”一词，称之为FPM DRAM 一度成为486PC机使用的主流内存芯片。由于它价格较低，低档的“奔腾”机上仍有使用。 DRAM芯片的发展(2) EDO DRAM 全称为 “扩充数据输出”(Extended-Data Output)DRAM 存取速度可较FPM DRAM提高15~40%(现用的访问时间有50ns、60ns、70ns等品种)，而价格仅高出约5% 普通奔腾机的主流芯片 DRAM芯片的发展(3) SDRAM “同步式”(Synchronous)DRAM的目标，就是使CPU对内存芯片的访问与“时钟”同步，从而达到与CPU速度的匹配 SDRAM采取了双存储体结构，当一个存储体被CPU读取数据时，另一个存储体将作好读数的准备，两个存储体自动切换 SDRAM芯片最高可达166MHz的外频 DRAM芯片的发展(4) DDR SDRAM DDR(Double Data Rate) SDRAM(双倍数据速率同步内存)，是由SDRAM发展而来的技术 SDRAM只在时钟脉冲的上沿进行一次数据写或读操作，而DDR不仅在时钟脉冲的上沿进行写或读操作，而且在时钟脉冲的下沿也能够进行一次对等的写或读操作 理论上DDR的数据传输能力就比同频率的SDRAM提高一倍 只读存储器ROM(1) 掩膜ROM(Masked ROM) 掩膜ROM是由制造厂按照事先设计好的线路生产出来的，制成后就不能改变。它成本较低，适用于成批生产的产品 只读存储器ROM(2) 可编程只读存储器 PROM(ProgrammableROM) 允许用户根据自己的需要在专用设备上进行编程的只读存储器 只能写一次，写入的信息就被永久性地保存了 只读存储器ROM(3) 可擦除的可编程只读存储器EPROM(Erasable Programmble ROM) 可以多次改写的ROM 改写前必须用专门的设备(如紫外线擦除器)先把其中的内容全部擦掉 EPROM器件背上都有一个透明的石英玻璃窗口，紫外线通过这个窗口照在芯片上，即可把上面的内容擦掉) 再用专门的设备(EPROM写入器)把新程序写进去 只读存储器ROM(4) 电可擦除的可编程只读存储器置E2PROM (Electrically Erasable ProgrammableROM) 用电就能擦洗的芯片，这样的芯片编程和擦除所用的电流都是极小的，可用普通的电源供电 可以按字节分别进行 EPROM擦除时把整个片子的内存全变为“0”或“1”。 E2PROM字节的编程和擦除都只需要10ms的时间 只读存储器ROM(5) Flash存储器 在20世纪80年代末逐渐发展起来的一种新型半导体不挥发性存储器， 它具有结构简单、高密度、低成本、高可靠性和在系统的电可擦除性等优点， 是当今半导体存储器市场中发展最为迅速的一种存储器 存储器的主要性能指标 存储容量 字节（Byte）是衡量存储容量的基本单位 其他常用单位的换算关系为 1KB＝1,024Byte 1MB＝1024KB＝1,048,576Byte 1GB＝l024MB＝1,048,576KB=1,073,741,824Byte 存储周期 处理器可以连续两次启动某个存储器所需的最小时间间隔称为该存储器的存储周期 存取时间 从存储器收到有效地址到在其输出端出现有效数据的时间间隔，称为访问时