SiO2对低温烧结压电陶瓷PMNNS的性能影响.pdfVIP

第41卷 第 1期 人 工 晶 体 学 报 Vo1．41 No．1 2012年2月 JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTAI5 February，2012 SiO2对低温烧结压 电陶瓷 PMNNS的性能影响 陈伟业，刘彭义，林彩平，常 鹏 (1．暨南大学物理系，广州 510632；2．暨南大学思源实验室，广州 510632) 摘要：在烧结温度为 1020℃下，采用 固相二步合成法制备了 Pb(Ni。，3Nb o．05(Mn。Nb3)004(Mnl3／Sb2／3)ol0 (zrTi。) O，(PMNNS)压电陶瓷，研究了加入不同掺杂量的SiO对陶瓷的结构与机电性能的影响。结果表明： 加入SiO：可以明显地降低烧结温度；而且当SiO：的掺杂量为0．1％时，陶瓷的性能最佳 ，其性能如下：d =331pC／ N，tan =0．0041，k。=0．62，Q =1326，s=917。