MEMS基础工艺研究和新型室温中远波段红外探测器研制.pdf

在界面实现熔融键合，从而达到低温局部键合的目的。该方法目前在国内没有见 到公丌的文献报道， 运用SEM和光学显微镜，在利用浓硼扩散腐蚀停止技术制各自由悬空硅薄 膜时，在薄膜的表面首次观察到了呈分形生长的反应生成络合物聚集结构。反应 生成络合物聚集结构以及能否产生聚集都受腐蚀腔体的深宽比影响。研究表明薄 膜表面的生成物的分形属于典型的有限扩散集团凝聚模型(ADL)，其分形维数 值约为1．667。 在用激光进行硅一玻璃键合的过程中，观察到了金在单晶硅表面扩散典型 的分形图形。该分形图形属于典型的凝聚扩散限制模型，计算出了分形维数。同 时发现分形图形的形成状况与单晶硅晶面状况有十分密切的关系。这为从另外一 个侧面探索研究激光键合提供了一种方法。 对双电场阳极键合的理论和实验进行了研究，双电场阳极键合方法不仅能 从根本L仃效地兜服以往单rU场…扳键合对MEMS器件可动部分的危害，而且操 作简币，是一种很有吸引力的新型阳极键合方法。 2、新型室温中远红外探测器研制： 经过大量的各种单项试验，已经摸索、总结了一套设计、制作基于MEMS 技术的高速高灵敏度新型室温中远波段红外探测器的工艺，并在器件的关键部分 上掌握了一定的工艺制作技巧，最终在双面光刻腐蚀、键合等关键工艺上取得了 比较理想的结果，为研制基于MEMSI艺的新型室温中远红外探测器奠定了坚实 的基础，并制备出运用键合技术进行封装的水平结构的器件。初步测量得到器件 对红外的响应为：在波长为10．6urn的C02激光光源下，初始电容值由于结构的不 同导致器件极扳之间的距离不同可以从6．Opf～150pf之间变化，灵敏度 ≥0．01053pffmW，器件耐压为≥10V。 关键词微电子机械系统、新型室温红外探测器、键合、腐蚀 II Abstract A revolutionis leadthe Successofmicro—electronic being-micro beingby great on was micro／nano basednano··structureand technology．Thetechnology nano-·system bornat present． Sincean namedF．W．foundinfraredin1 Englishphysicist ray 800．people’S tosolvethefactual withinfrared become than ability problems raytechnologygreater and attentionis totheinfrared for before．Moremore being detectorst11eir paid inducement． application the MEMS and anoveltin·cooled Applyingburgeoningtechnologydeveloping middle·far infrareddetectorbasedonitarethemost in wavelength importantproject this dissertationaSfollowed： very 1、Basicfabrication forMEMSisstudiedatfirstdescribedas