雷达概述.pptVIP

* 第一章 绪 论 1.5 电子战与军用雷达的发展 1.5.1 电子战的科学定义 电子战(EW)的科学定义, 我们在这里直接引用我国原机电部部标《雷达对抗术语》的有关内容如下: 电子战(EW)是指“敌我双方利用无线电电子装备或器材所进行的电磁信息斗争, 电子战包括电子对抗和电子反对抗”。 电子对抗(ECM)是指“为了探测敌方无线电电子装备的电磁信息, 削弱或破坏其使用效能所采取的一切战术、 技术措施”。 电子反对抗(ECCM)是指“在敌方实施电子对抗条件下保证我方有效地使用电磁信息所采用的一切战术、技术措施。” 电了对抗(ECM)包括电子侦察、电子干扰、伪装、隐身和摧毁。与之相应的电子反对抗就包括反侦察、反干扰、反隐身和反摧毁。电子对抗的摧毁是指采用电子措施而实现的对敌电子设备的火力摧毁, 例如反辐射导弹就是一种电子对抗的摧毁措施, 用以摧毁敌方的雷达、 通信站、 导航台等电子装备。 表 1.2 电子战的科学定义示意图 1.5.2 雷达反干扰 1. 与天线有关的电子抗干扰 1) 旁瓣消隐(SLB) 这种技术只对低占空系数的脉冲干扰或扫频干扰才有效, 高占空系数的脉冲或噪声干扰会使主通道在大部分时间内关闭, 从而使雷达失效。旁瓣消隐的组成框图如图1.8(b), 它增加了一个全向的辅助天线和一个并行的接收通道, 其中辅助天线的增益约比主天线的最大旁瓣增益高出3~4 dB。将辅助通道信号与主通道信号相比较, 当前者较后者大时，则主通道内的信号必是经旁瓣进入的, 此时波门开启, 阻止旁瓣干扰信号进入接收机, 因而不被显示。 图1.8 旁瓣消隐系统(SLB) (a) SLB主、辅天线方向图; (b)SLB系统框图 2) 旁瓣相消(SLC) 这种技术是用来抑制通过天线旁瓣进入的高占空比和类噪声干扰的。 旁瓣相消的组成框图如图1.9所示。使用一个或多个辅助天线, 对辅助通道信号的相位和幅度进行自适应控制并将其输出与主通道合并, 便会在干扰机方向产生合成天线方向图响应的零点, 即旁瓣进入的干扰被相消, 通过连续地自适应地调整辅助通道信号的振幅和相位, 即可使合成方向图的零点跟踪干扰机而达到旁瓣相消。 实现自适应旁瓣相消系统相当复杂, 特别是当要求相消效果好的时候。如果同时有多个方向的干扰机产生旁瓣干扰, 则相消系统的辅助天线也要多个。事实上，至少需要N个辅助天线方向图在振幅和相位上分别控制来强迫主天线接收方向图在N个方向形成零点。 图1.9 自适应旁瓣相消系统(SLC) (a) 原理框图; (b) 天线方向图 图1.10 自适应天线阵列 自适应阵的理论在70年代初期已获得解决, 其基本结果表现在最佳权矢量的公式上: 式中,M=E［V*VT］为N维协方差矩阵, 其中V则是天线阵元所收到的N维干扰矢量; S为天线阵元收到的目标信号矢量, 目标来自确定方向。根据空间干扰情况设置最佳权值, 从而改变天线方向图, 使之在消除干扰的同时增强目标信号而在阵列输出端得到最大的信号干扰功率比值, 因此, 自适应阵列是一个最佳空域滤波器。 原则上, N个阵元的阵列可以同时形成N-1个方向图零点,以对付(N-1)个方向的干扰源。 2. 与发射机有关的电子抗干扰 不同类型的ECCM的实现, 就是适当地利用和控制发射信号的功率、频率和波形。 1) 增加有效辐射功率 这是一种对抗有源干扰的强有力的手段, 此方法可增加信号/干扰功率比。如果再配合天线对目标的“聚光”照射, 便能明显增大此时雷达的探测距离。雷达的发射要采用功率管理，以减小平时雷达被侦察的概率。 2) 发射频率 在发射频率上可采用频率捷变或频率分集的办法, 前者是指雷达在脉冲与脉冲间或脉冲串与脉冲串之间改变发射频率, 后者是指几部雷达发射机工作于不同的频率而将其接收信号综合利用。这些技术代表一种扩展频谱的电子抗干扰方法, 发射信号将在频域内尽可能展宽，以降低被敌方侦察时的可检测度, 并且加重敌方电子干扰的负荷而使干扰更困难。 3) 发射波形编码 波形编码包括脉冲重复频率跳变、 参差及编码和脉间编码等。所有这些技术使得欺骗干扰更加困难, 因为敌方将无法获悉或无法预测发射波形的精确结构。 脉内编码的可压缩复杂信号, 可有效地改善目标检测能力。 它具有大的平均功率而峰值功率较小; 其较宽的带宽可改善距离分辨力并能减小箔条类无源干扰的反射; 由于它的峰值功率低, 使辐射信号不易被敌方电子支援措施侦察到。 因此，采用此类复