《SONOS非易失性存储器件研究进展_曾俊》.pdf

电 子 与 封 装 第9 卷第8 期 电 子 与 封 装 第9 卷，第8 期 总 第76 期 Vol .9 ，N o .8 ELECTRONICS PACKAGING 2009 年8 月 微 电 子 制 造 与 可 靠 性 SON O S 非易失性存储器件研究进展 曾　俊，傅仁利，宋秀峰，张绍东，钱凤娇 （南京航空航天大学材料科学与技术学院，南京2 100 16 ） 摘　要：随着半导体存储器件的小型化、微型化，传统多晶硅浮栅存储因为叠层厚度过大，对隧 穿氧化层绝缘性要求过高而难以适应未来存储器的发展要求。最近，基于绝缘性能优异的氮化硅 的SONOS 非易失性存储器件，以其相对于传统多晶硅浮栅存储器更强的电荷存储能力、易于实现 小型化和工艺简单等特性而重新受到重视。文章论述了SONOS 非易失性存储器件的存储原理和存 储性能的影响因素研究进展，并在材料、工艺与结构设计等方面对SONOS 存储器件性能改进的研 究进展情况进行了分析和讨论。 阱 关键词：存储；硅/ 二氧化硅/ 氮化硅/ 二氧化硅/ 硅；氮化硅；非易失性；势 ；纳米晶 中图分类号：TN303 　　　文献标识码：A　　　文章编号：1681-1070 （2009 ）08-0024-07 Progress of SONOS Nonvolatile Memory Device ZENG Jun, FU Ren-li, SONG Xiu-feng, ZHANG Shao-dong, QIAN Feng-jiao （College of Materials Science and Technology , Nanj ing University of A eronautics and Astronautics, Nanj ing 210016, China ） Abstract:With the miniaturization and micromation of semiconductor memories, conventional polysilicon float- ing-gate memories are unable to meet the developments of future memories, because of its high stack height and extreme good insulating performance requirements of the tunnel oxide. Recently, nonvolatile memory device based on excellent in sulator silicon nitride, have been regarded again because of its better charge storing capability, continual size minimizing speciality and simple technics comparing with conventional polysilicon floating-gate memory device. The progresses in storage principle of SONOS nonvolatile memory dev