集成电路和器件工艺原理.ppt

集成电路与器件工艺原理 外延工艺 一。定义和用途 1.外延：指在单晶衬底上生长一层新单晶的技术。因是由衬底向外延伸，故称外延。 2.用途：根据需要，在单晶衬底上形成掺杂类型不同或掺杂浓度不同的均匀掺杂单晶层。 硅的气相外延原理：利用硅的气态化合 物，在加热的硅衬底表面，与 H2发生反 应或自身发生热分解，还原生成硅，以 单晶形式淀积在衬底表面。 外延设备 主体反应室分卧式、立式、桶式 外延过程：装片》通N2赶气》通 H2》通电源、通水冷》 H2处理》HCl气相腐蚀》赶HCl，炉温调至外延生长标准》外延生长（通 H2、硅源、掺杂气）》 H2清洗（关硅源、掺杂气）》关电源降温》通N2赶 H2冷却》取片》检验。 外延工艺的体缺陷 层错的形成:局部原子层错排：（1，1，1） 面上显示正三角形，（1，0，0）面上显示 正方形。实际上是正三棱锥和正四棱锥 （象倒金字塔）。 100面层错 111面层错 外延层测量： 1、厚度测量：层错法、C-V法、红外椭圆 仪法、红外反射干涉法等。 2、 电阻率测量：四探针法、三探针法、 C-V法。 四探针法测电阻率 测试原理实际上是根据欧姆定律来测 中间两针间的电压。 外延工艺的特有质量问题： 自掺杂效应：衬底的杂质在外延过程中逸 出，掺入外延层中，造成电阻率失常甚至 反型。 防止：生长过度层，降低外延温度。 外延工艺的优点： 高效率的获得较厚的均匀掺杂单晶层。 不存在两种杂质相互补偿问题，PN结两边 杂质分布为突变结 外延工艺的优点： 高效率的获得较厚的均匀掺杂单晶层。 不存在两种杂质相互补偿问题，PN结 两边杂质分布为突变结 氧化工艺 一.氧化工艺：在高温炉中，使硅晶体表面生 成一层氧化层的工艺。 二. 氧化层的作用: 1.掩蔽作用:磷、硼等杂质在SiO2中的扩散速度较Si中慢很多，于是可用SiO2来进行掺杂时的掩蔽。 2..SiO2的表面保护和钝化作用：可防止外部环境影响产品性能，钝化表面，消除表面态，防钠离子沾污.（Si片表面很容易生成SiO2，是它的大优点，形成了一套完整的平面工艺.） 3.MOS管的栅极绝缘材料；IC电容的层间介质。 三．SiO2的性质：具有很好的电绝缘性， 电阻率达10的15~17次方欧姆厘米。对各种 酸、碱气氛有耐受性，但不耐HF腐蚀。 热生长氧化膜是非晶态无定型结构，比较 疏松，只有四成空间被SiO2分子占据，密 度较低。 二氧化硅的显微结构 四．热氧化膜生长机理： 1. 干氧氧化：Si + O2 = SiO2 2.水汽氧化：Si + H2O = SiO2 + H2 3..湿氧氧化：是上述两项的结合。在向氧化炉中通O2时，让其从95℃的氧化水瓶中鼓泡后进入。 4..氢氧合成水汽氧化：将高纯 H2和O2分别通入炉管，使其燃烧成水汽，对硅片进行氧化。2 H2 +O2 = 2 H2O。 一般 氢：氧=2：1即可，但实际上O2是过量的，防止发生危险。这样，其实质也是一种湿氧氧化。炉口装有燃烧部（注入器），配有报警系统，当氢氧比例失调，或温度低于 H2燃烧点时，就会关断 H2，充入N2。 优点：由于 H2和O2纯度可以很高，因此合 成的水汽中Na+含量可低于0.1PPB。氧化 层质量高，均匀性好。 注意事项： H2喷口温度必须高于585℃， 管道严禁泄露，开工时要先用N2充满炉管，后按O2》》 H2的顺序通气，完工时按 H2》》O2的顺序关气，然后用N2清扫。 氧气要过量。 氢氧合成水汽氧化 5..热氧化的微观过程和氧化速率。 微观过程：氧化过程中，O2和 H2O分子总 要穿过已经形成的SiO2层，继续向下穿 越，到达SiO2Si界面，形成新的SiO2层。 因此氧化是越来越慢的。由于氧分子穿越 速度慢，故干氧氧化较慢。随着炉温的提 高，氧化速度将加快。 6..对于较短时间氧化，氧化层厚度tox近似 与时间成正比。对于较长时间氧化，氧化 层厚度tox与时间的开方成正比 用TCA(三氯乙烷）进行的掺氯氧化 7..掺氯氧化：Cl元素在SiO2Si界面可同硅的悬挂健结合，减少界面态。Cl在SiO2中可俘获Na+，可与重金属杂质生成氯化物气体排出，并减少热氧化层错。 C2H3CL3 + O2 == CL2 + HCL + CO2 + H2O; HCL + O2 == CL2 + H2O. .氧化膜厚度测量：可用测厚仪测。SiO2膜 的颜色随厚度变化，呈现红、橙、黄、 绿、青、蓝、紫的周期性变化，有经验工 人可粗略判断氧化层厚度。这称为比色法. 掺杂工艺（1）-----扩散工艺 定义：在高温炉中，通入含有所需杂质的 气体，使该杂质向硅晶体体内扩散。 用途：形成特定的