离子注入一.pptVIP

浓度分布 由于沟道效应的存在，在晶体中注入将偏离LSS理论在非晶体中的高斯分布，浓度分布中出现一个相当长的“尾巴” 产生非晶化的剂量 沿100的沟道效应 4.2 注入离子在靶中的分布 沟道效应 表面非晶层对于沟道效应的作用 Boron implant into SiO2 Boron implant into Si 4.2 注入离子在靶中的分布 沟道效应 注入离子的真实分布 真实分布非常复杂，不服从严格的高斯分布 轻离子硼（B）注入到硅中，会有较多的硼离子受到大角度的散射（背散射），会引起在峰值位置与表面一侧有较多的离子堆积；重离子(Sb)将在比峰值位置更远一侧堆积。 实际注入还有更多影响因素，主要有衬底材料、晶向、离子束能量、注入杂质剂量以及入射离子性质等。 4.2 注入离子在靶中的分布 4.3 注入损伤 晶格损伤和无定型层 靶原子在碰撞过程中，获得能量，离开晶格位置，进入间隙，形成间隙－空位缺陷对； 脱离晶格位置的靶原子与其它靶原子碰撞，也可使得被碰靶原子脱离晶格位置。 缺陷的存在使得半导体中载流子的迁移率下降，少子寿命缩短，影响器件性能。 杂质未激活 在注入的离子中，只有少量的离子处在电激活的晶格位置。 注入后发生了什么……… 4.3 注入损伤 晶格损伤：高能离子注入硅片后与靶原子发生一系列碰撞，可能使靶原子发生位移，被位移原子还可能把能量依次传给其它原子，结果产生一系列的空