硫属化合物p型半导体纳米结构的合成和其光电性能研究.pdf

成孪晶ZnTe纳米线，X射线衍射和高分辨电镜分析结果表明孪晶纳米线是闪锌矿结构，一维 析研究显示，在孪晶纳米线的气一液一固生长机制中，液态共晶的表面张力是形成孪晶纳米结 构的主要原因。 3、三元化合物半导体材料ZnCdTe具有比较高的原子序数，较大的直接禁带宽度，广泛 带，并对其形貌和晶体结构进行了表征。构筑了基于单个纳米带的纳米场效应管和X射线纳 Zno．TsCck笛Te纳米带载流子浓度为／／h为2．7×10埔cm-3，迁移率胁为4．2 X1017 纳米带载流子浓度m为1．1 cm—cff，迁移率肛为5．7 半导体性能主要是由于在其单晶结构中，由于fl--)1．偿效应，存在一些zn或cd的空位吆和呓， 离子化空位将会在禁带中产生受主能级，里现P型导电性能。利用中国科技大学国家同步辐 射中心的高能x射线光源，采用三种不同能量的x射线分别照射纳米探测器，研究了纳米探 测器的X射线响应性能，ZnCdTe纳米探测器对X射线具有较快的响应速度，较大的光电流变 陷，电荷在传输过程中的陷域效应较小。同时，一维纳米结构具有大的长径比，形成准一维 的电子输运通道，在外电场作用下，高能光子激发的电荷很容易迁移到电极处，能够实现电 荷全吸收，使其具有良好的X射线响应性能。这个研究成果将有助于把纳米技术应用于X射