第7章-外场作用下的无机合成(制备)技术.pptVIP

主要内容 3 石墨烯的制备方法 2 本项目的石墨烯制备 1. 石墨烯的结构和性质 英国曼彻斯特大学教授安德烈·海姆和康斯坦丁·诺沃肖洛夫于2004年 最早制作出石墨烯，并因此共同获得2010年诺贝尔物理学奖 人类目前最强功能材料 他的研究小组把石墨烯加工为氧化石墨烯后，制成一种薄膜，其强度和韧性都很好。具有特殊的隔气透水的性能。用这种薄膜封装的绝大部分气体和液体都无法逸出来，显示出良好的密封性，唯有水能够照常蒸发。 石墨烯的结构 The shadowed area delineates the unit cell of graphene with its two non-equivalent atoms 一种新型碳材料 单原子层构成，其基本结构单元为有机材料中最稳定的苯六元环，其理论厚度仅为0.35 nm，是目前所发现的最薄的二维材料 一个SP2杂化的碳片 Monolayer 石墨烯中电子间以及电子与蜂窝状栅格间 均存在着强烈的相互作用 类似石墨表面，石墨烯可以吸附 和脱附各种原子和分子 石墨烯的结构 单层石墨烯的电子结构。 A是价带和导带在第一布里渊区的K点接触。 B是由于石墨层的堆积而破坏了能带的对称性。 C是由于不对称性而使价带和导带之间形成能量间隙。 （b）众多的“独特性质” 高性能传感器功能 类似“催化剂”的功能 吸氢功能 双极半导体 常温下可实现无散射传输 只需变形即可获得施加磁场的电子能量效果 可检测出单个有机分子 添加少量至树脂材料等，可强化电子输送性能 已在低温下有一定效果 无需添加剂即可实CMOS构造的半导体材料 英特尔等公司正在积极研究 能否应用于应变传感器 石墨烯的特性 最薄最轻 载流子迁移速率最高 电流密度耐性最大 强度最大最坚硬 导热率最高 室温下为20万cm2/Vs（硅的100倍） 有望达到2亿A/cm2（铜的100倍） 破坏强度：42N/m；杨氏模量与金刚石相当 3000~5000W/mK（与CNT相当） 厚0.34nm,比表面积2630m2/g （a）“最强性能”有许多 2 石墨烯的制备方法 制备方法 A id range of subjects 机械方法 化学方法 微机械剥离法 外延生长法 取向附生法 化学氧化还原法 化学溶液直接剥离法 化学气相沉积法 液相剥离膨胀石墨法 SiC高温分解法 PMMA碳化法 碳纳米管剪切法 有机合成法 微机械剥离法是最简单的一种方法，英国曼彻斯特大学于2004年用此方法成功地从高定向热解石墨上剥离出单层石墨烯。过程是：用氧等离子束在高取向热解石墨表面刻蚀出深5μm的沟槽，从而形成多个宽为20μm- 2mm的平台。将刻蚀过的热解石墨压制在光刻胶上，用透明胶反复地去剥离石墨平台，直至光刻胶上只剩下很薄的石墨片为止，并将其分散于丙酮溶液当中。用原子力显微镜观察，可以找到几个原子厚度的石墨片层甚至单层的石墨烯。 微机械剥离法 取向附生法 取向附生法是利用生长基质原子结构“种”出石墨烯，首先让碳原子在 1150℃下渗入钌，然后冷却至850℃后，之前吸收的大量碳原子就会浮到钌表面，镜片形状的单层的碳原子“ 孤岛” 布满了整个基质表面，最终它们可长成完整的一层石墨烯。第一层覆盖 80%后，第二层开始生长。底层的石墨烯会与钌产生强烈的交互作用，而第二层后就几乎与钌完全分离，只剩下弱电耦合，得到的单层石墨烯薄片表现令人满意。 外延生长法是利用生长基质的结构“种”出石墨烯。该方法一般是通过加热6H-SiC单晶表面，脱附Si原子制备出石墨烯。先将6H-SiC（六方晶型）单晶表面进行氧化或H2刻蚀预处理，在超高真空下(1.33×10-8Pa)加热至1000℃去除表面氧化物，通过俄歇电子能谱(Auger electron spectroscopy)确认氧化物已完全去除后，样品再加热至1250-1450℃并恒温10-20 min，所制得的石墨烯片层厚度主要由这一步骤的温度所决定。 外延生长法 碳纳米管可以看作卷成柱状的石墨烯，因此将碳纳米管纵向剪开可以得到石墨烯带。最近，很多研究小组已经用这种方法成功实现了石墨烯带的制备。Tour在低温加热条件下利用浓硫酸和高锰酸钾与多壁碳纳米管反应，沿着纵向打开碳管的C一C键，形成石墨烯带。 碳纳米管剪切法 氧化石墨还原法是以鳞片石墨为原料, 经过一系列的氧化获得氧化石墨,氧化石墨再经还原而获得石墨烯的方法。 氧化还原法 Brodie法 Hummers法 Staudenmaier法 微波还原 高温热还原 维生素C、硼氢化钠的还原剂替代毒性较高的联氨 直接在强碱环境中脱除含氧基团 含氧基团的引入破坏了原有的碳碳键，而这些含氧基团并不能在还原过程中完