薄膜沉积.pptVIP

薄膜沉积 工艺培训-梅晓东 什么是薄膜沉积？ 在机械工业，电子工业或半导体工业领域，为了队所使用的材料赋予某种特性在材料表面以各种方法形成被膜（一种薄膜），而加以使用，假如此被膜经由原子层的过程所形成时，一般将此等薄膜沉积称为蒸镀处理，采用蒸镀处理时，以原子或分子的层次控制蒸镀粒子使其形成被膜，因此可以得到以热平衡状态无法得到得具有特殊构造及功能的被膜． 薄膜沉积的分类 依据沉积过程中，是否含有化学反应可区分为： 　　１物理气相沉积（Physical Vapor Deposition ） 　　２化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition ） 薄膜沉积原理 CVD的原理 CVD是将反应源以气体形式通入反应腔中，经由氧化，还原或与基板反应的方式进行化学反应，其生成物通过扩散作用而沉积在基板表面上． CVD的反应过程 CVD的五个主要过程 导入反应物主气流 反应物内扩散 原子吸附 表面化学反应 生成物外扩散及移除 CVD的分类 APCVD原理 APCVD结构示意图 PECVD原理 PECVD结构示意图 PECVD的工艺过程 SiH4分解产生活性粒子Si、H、SiH2?和SiH3等 活性粒子在衬底表面的吸附和扩散 在衬底上被吸附的活性分子在表面上发生反应生成Poly-Si层，并放出H2； PECVD的优点 可以低温成膜(最常用的温度是300-350度),对基体影响小,并可以避免高温成膜造成的膜层晶粒粗大以及膜层和基体间生成脆性相等问题 PECVD在较低的压强下进行,由于反应物中的分子,原子,等离子粒子团与电子之间的碰撞,散射,电离等作用,提高膜厚及成分的均匀性,得到的薄膜针孔少,组织致密,内应力小,不容易产生裂纹 扩大了化学气相沉积的应用范围,特别是提供了在不同的基体上制取各种金属薄膜,非晶态无机薄膜,有机聚合物薄膜的可能性 膜层对基体的附着力大于普通CVD * * 低温绝缘体 钝化层 化学污染 粒子污染 低温工艺 高沉积速率 层覆盖能力良好 PECVD 高温氧化物 多晶硅 钨，硅化钨 高温工艺 低沉积速率 高纯度 层覆盖能力极佳 可沉积大面积晶圆片 LPCVD 低温氧化物 层覆盖能力差 粒子污染 反应器结构简单 沉积速度快 低温工艺 APCVD 应用 缺点 优点 工艺 PECVD的原理 SunTech-Power PECVD PECVD的作用 PECVD工艺参数的调整 安全 PECVD：Microwave Remote Plasma Enhance Chemical Vapour Deposition 微波间接等离子增强化学气相沉积 定义 等离子体：由于物质分子热运动加剧，相互间 的碰撞就会使气体分子产生电离，这样物质就 会变成自由运动并由相互作用的正离子、电子 和中性粒子组成的混合物。 PECVD的作用 在太阳电池表面沉积深蓝色减反膜-SiN膜。其还具有卓越的抗氧 化和绝缘性能，同时具有良好的阻挡钠离子、掩蔽金属和水蒸汽 扩散的能力；它的化学稳定性也很好，除氢氟酸和热磷酸能缓慢 腐蚀外，其它酸与它基本不起作用。 除SiN膜外，TiO2，SiO2也可作为减反膜 PECVD的作用 　 　 190-210 深 红 色 93-100 淡蓝色 　 　 180-190 红 色 77-93 蓝 色 300-330 红 色 150-180 橙 黄 色 73-77 深蓝色 280-300 橙黄色 130-150 黄 色 55-73 红 色 250-280 浅绿色 120-130 淡 黄 色 40-50 黄褐色 230-250 蓝绿色 110-120 硅 本 色 20-40 褐 色 210-230 蓝 色 100-110 很淡蓝色 0-20 硅本色 厚度（nm） 颜色 厚度（nm） 颜色 厚度（nm） 颜色 氮化硅颜色与厚度的对照表 PECVD的作用 空气或玻璃 n0=1 or 1.5 SiN减反膜的最佳折射率n1为 1.9或2.3 硅 n2=3.87 在左图中示出了四分之一波长减反射膜的原理。从第二个界面返回到第一个界面的反射光与从第一个界面的反射光相位相差180度，所以前者在一定程度上抵消了后者。即n1d1=λ/4 PECVD的作用 PECVD的作用 PECVD的作用 钝化太阳电池的受光面 钝化膜(介质)的主要作用是保护半导体器件表面不受污 染物质的影响，半导体表面钝化可降低半导体表面态密度。 PECVD的作用 钝化太阳电池的体内 在SiN减反射膜中存在大量的H，在烧结过程中会钝化晶体内部悬挂键。 PECVD的原理 PECVD的原理 PECVD工艺参数的调整 在每一个过程中左右使用略微不同的脉冲周期（相差1