三相逆变电源的研究11.ppt

三相逆变电源研究 小组成员：林燕贞 丁仲侣 郁舒雁 指导老师：李强（自动化院） 课题背景 逆变器就是一种将低压（12伏或24伏或48伏）直流电转变为220伏交流电的电子设备。 因为我们通常是将220伏交流电整流变成直流电来使用，而逆变器的作用与此相反，因此而得名。 现代逆变技术 逆变技术，逆变技术就是电力电子技术上的使直流变成交流(DC/AC)的一门技术， 是电力电子学四种变换技术中最主要的一种。 1）按逆变器输出交流的频率分为：工频、中频、和高频逆变； 2）按交流侧与电网相接或与负载分为：无源逆变和有源逆变； 3）按逆变器输出电压的波形分为：正弦波逆变和非正弦波逆变； 4）按逆变器输出的交流的相数分为：单相逆变、三相逆变和多相逆变； 5）按逆变器输入直流电源的性质分为：电压源逆变和电流源逆变； 6）按逆变器的控制方式分为：脉宽调制（PWM）逆变、脉频调制（PFM）逆变和数字逆变。 逆变器用功率开关器件 主要功率开关器件 晶闸管 电力场效应管 电力（GTR）晶体管 绝缘栅双极晶体管 器件的选择 通过对各种功率器件的分析，对于本次逆变电源设计将选用IGBT场效应晶体管作为逆变器用功率开关器件 IGBT的结构和特点 IGBT的基本特性 静态特性 动态特性 静态特性 输出伏-安特性 转移特性 输出伏-安特性 转移特性 高温特性 IGBT具有优良的高温通态特性，在环境温度（散热片温度）达到200左右时，仍能正常工作。 动态特性 导通特性 关断特性 导通特性 一般情况下，IGBT的栅极加有一个负偏压以保证IGBT可靠地处于关断状态。当栅极电压由这个负偏压开始往正方向变化时，由于栅极电容有个充电过程，在经过一段时间后，达到栅极开启电压，IGBT的集电极电流才有漏电流开始增加。这段时间称为导通延迟时间。 关断特性 在IGBT处于导通状态时，栅极电容上充有正电压，当向负方向变化时，由于栅极电容有个放电过程，在经过一段时间后，减小到栅极开启电压，集电极电流开始下降。这段时间称为存储时间。 IGBT的擎住效应和安全工作区 因为集电极电流过大（静态擎住电流），可能是因为duce/dt过大（动态擎住效应），温度升高会加重发生擎主效应的危险。由于动态擎住电流比静态擎住电流所允许的集电极电流还要小，因此器件给出的通常按动态擎住效应来规定 IGBT驱动电路的要求 电压足够陡的上升沿和下降沿，使IGBT开关时间短，开关损耗小。 由驱动电路提供的驱动电压和驱动电流要有足够的幅值，一般选取15V. 在关断过程中，施加一定幅值的负驱动电压（一般取-5∽-15V）有利于减小关断时间和关断损耗。 IGBT内部存在寄生晶闸管，当集电极电流IC过大或IGBT关断过程中 太高时，都可能使寄生晶闸管误导通，形成静态和动态擎住效应，使IGBT失控。故应注意限制IGBT集电极电流的最大值。 逆变电路的选择 电压型逆变电路 直流侧为电压源，或并联有大电容，相当于电压源。直流侧电压基本无脉动，直流回路呈现低阻抗。 由于支路电压源的箝位作用，交流侧输出电压波形位矩形波，并且与负载阻抗角无关。 当交流侧为阻感负载时需要提供无功功率，直流侧电容起缓冲无功能量的作用。为了给交流侧向直流侧反馈的无功能量提供通道，逆变桥各臂都并联了反馈二极管。 单相电压型逆变电路 半桥逆变电路 全桥逆变电路 半桥逆变电路 优点 其电路中所使用的功率开关晶体管的耐压较低，绝不会超过输入电压的峰值； 晶体管的饱和电压也降至最低； 输入滤波电容的耐压也可以减小。 全桥逆变电路 4个桥臂。高频变压器T连接在它们中间。相对臂的驱动电路激励而交替导通，将直流输入电压变换成高频方波交流电压。 三相电压型逆变电路 本课题设计采用IGBT作为开关器件的电压型三相桥式逆变电路 基本工作方式是180度导电方式,即每个桥臂的导电度数为180度,同一相上下两个臂交替导电,个相导电的角度依次相差120度,这样,在任一瞬间,将三个桥臂同时导通。 逆变电路的选择 本系统选择三相电压型逆变电路作主电路 采取“先断后通”的方法。即先给应关断的器件关断信号，待其关断后留一定的时间裕量，然后再给应导通的器件发出开通信号，即在两者之间留一个短暂的死区时间 主电路设计 斩波器的设计 整流与逆变电路 斩波器的设计 该电路使用一个全控型器件V，本设计采用的是IGBT。为在V关断时给负载中的电感电流提供通道，设置了续流二极管VD。 整流与逆变电路 整流电路 逆变电路 整流电路 由六个二极管组成三相整流桥，将电源的三相交流电全波整流成直流电。 逆变电路 器件换流和强迫换流是由于器件本