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第3章 集成逻辑门 本章主要介绍： 晶体管/MOS管的开关特性 TTL集成逻辑门/CMOS集成逻辑门的: 基本工作原理 主要外部特性 逻辑门电路： 用来实现基本逻辑关系的电子电路 利用晶体管/MOS管的导通/截止、 电平的高/低 分别表示二值逻辑中的1/0 3.1 晶体管的开关特性 在脉冲与数字电路中晶体管工作在: 开关状态 其开关特性表现在： 导通/截止两种不同状态之间的转换过程 3.1.1 晶体二极管开关特性 1. 二极管稳态开关特性 稳态开关特性： 电路处在相对稳定的状态下，晶体管所呈现的开关特性。 正向导通时：vD=Vth 反向截止时：iD=Is 2. 二极管瞬态开关特性 瞬态开关特性： 电路处于瞬变状态下晶体管所呈现的开关特性。 具体地说： 晶体管在大信号作用下，由导通→截止/截止→导通时所呈现的开关特性。 理想二极管开关特性 二极管开关特性 由于电荷的积累和消失过程需要时间 ts:存储时间 tf:下降时间 trr=ts+tf: 反向恢复时间 tr:正向恢复时间 trtrr 3. 二极管开关应用电路 （1）限幅电路 功能：将输入波形的一部分传送到输出端，而将其余部分抑制掉。 串联下限限幅器 串联双向限幅器 并联下限限幅器 思考？ 并联双向限幅电路 （2）钳位电路 功能：将脉冲波形的顶部或底部钳定在某一电平上 设电容C初始电压为0 且满足 思考： 若要改变钳位电平，在D的支路中串接一个电源VREF 3.1.2 晶体三极管开关特性 在一般模拟电子线路中，晶体三极管当作： 线性放大元件/非线性元件来使用 在脉冲与数字电路中： 在大幅度脉冲信号作用下， 晶体管交替工作在截止区与饱和区， 作为开关元件来使用。 1. 三极管稳态开关特性 基本单管共射电路 单管共射电路的传输特性 2. 三极管瞬态开关特性 由于电荷的积累和消失过程需要时间 td：延迟时间 tr：上升时间 ton：开通时间 ts：存储时间 tf：下降时间 toff：关断时间 3.2 TTL集成逻辑门 3.2.1 晶体管－晶体管逻辑门电路（TTL） 由上述可见： 只要输入有一个低电平 输出即为高电平 称电路处于关态 只有当输入全部为高电平时 输出才为低电平 称电路处于开态 电路具有“与非”逻辑功能 1. 基本工作情况 2. 推拉输出电路和多发射极晶体管的作用 （1）可提高带负载能力 当输出高电平时： 射随器 当输出低电平时： T4饱和 （2）可提高电路的开关速度 当在全部高电平输入中有一个或几个突然变成低电平时： 加速了T4脱离饱和的速度 3.2.2 TTL与非门的主要外部特性 1. 电压传输特性 ab段：截止区 vI0.6V bc段：线性区 0.6V ≤vI 1.3V cd段：转折区 vI 1.3V de段：饱和区 由电压传输特性可知TTL“与非”门几个主要特性参数 （1）输出逻辑高电平VOH和输出逻辑低电平VOL 输出逻辑高电平VOH： 电压传输特性曲线截止区的输出电压 输出逻辑低电平VOL ： 电压传输特性曲线饱和区的输出电压 （2）开门电平Von和关门电平Voff及阈值电压Vth 额定逻辑高电平： 通常规定TTL与非门输出高电平VOH＝3V 额定逻辑低电平： 规定TTL与非门输出低电平VOL＝0.35V 关门电平Voff ： 在保证输出为额定高电平（3V）的90％（2.7V）的条件下，允许的输入低电平的最大值。 开门电平Von ： 在保证输出为额定低电平（0.35V）的条件下，允许的输入高电平的最小值。 阈值电压Vth : 转折区的中点对应的输入电压 一般:Vth ≈1.4V （3）抗干扰能力 以噪声容限的数值来定量地说明门电路的抗干扰能力 在输入低电平时，为了保证稳定的关态， 输入低电平加上瞬态的干扰信号不应超过关门电平Voff ， 因此，在输入低电平时，允许的干扰容限为： 称为：低电平噪声容限 在输入高电平时，为了保证稳定的开态， 输入高电平加上瞬态的干扰信号不应低于开门电平Von ， 因此，在输入高电平时，允许的干扰容限为： 称为：高电平噪声容限 在一般情况下，影响电压传输特性的主要原因： 环境温度和电源电压 总的趋势： 温度↑→输出高电平↑、输出低电平↑→阈值电压↓ 电源电压变化→输出高电平变化 一般：△VOH≈△VCC ，对输出低电平影响不大。 2. TTL与非门输入特性 输入电压和输入电流之间的关系曲线 iI以流出输入端为正方向 从输入特性反映了输入短路电流的大小 实际应用时，经常会遇到输入端通过一个电阻接地的情况 输入电阻Ri对工作状态的影响： 为了保证关态： 须vI≤Voff 对于典型TTL与非门 Ri≤0