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模拟电子技术题库 答案.doc
模拟电子技术
试题汇编
成都理工大学工程技术学院
电子技术基础教研室
2010-9
第一章 半导体器件
一、填空题
1、本征硅中若掺入5价元素的原子,则多数载流子应是 电子 ,少数载流子应是 空穴 。
2、 在N型半导体中,电子浓度 大于 空穴浓度,而在P型半导体中,电子浓度 小于 空穴浓度。
3、PN结反向偏置时,空间电荷区将变 宽 。
4、双极型三极管输出特性的三个区域分别是_____饱和_____区、______放大___区、__截止________区。
5、场效应管分为两大类:一类称为_结型场效应管___________,另一类称为__ 绝缘栅场效应管_______。
6、PN结外加反向电压,即电源的正极接N区,电源的负极接P区,这种接法称为___反向接法_______或_反向偏置_________。
7、半导体二极管的基本特性是 单向导电性 ____,在电路中可以起___整流____和___检波____等作用。
8、_______和________。
9、PN结中进行着两种载流子的运动:多数载流子的 扩散 运动和少数载流子的___漂移_____运动。
10、硅二极管的死区电压约为__0.5____V,锗二极管的死区电压约为__0.1____V。
11、晶体管穿透电流是反向饱和电流的___1+β_______倍,在选用晶体管的时候,一般希望尽量___小_______。
12、场效应管实现放大作用的重要参数是___跨导_______。
13、PN结具有__单向导电_______特性。
14、双极型三极管有两个PN结,分别是___集电结____和_发射结______。
15、为了保证三极管工作在放大区,应使发射结_____正向________偏置,集电路______反向_______偏置。
16、场效应管是____电压______控制型元件,而双极型三极管是____电流_______控制型元件。
17、本征硅中若掺入3价元素的原子,则多数载流子应是 空穴 ,少数载流子应是 电子 。
18、P型半导体的多数载流子是 空穴 ,少数载流子是 电子 。
19、PN结外加正向电压,即电源的正极接P区,电源的负极接N区,这种接法称为 正向接法 或_正向偏置______。
20、从双极型三极管内部三个区引出三个电极,分别是_集电极______、___发射极____和__基极______。
21、双极型三极管起放大作用的外部条件是:(1)发射结外加_正____________向电压;(2)集电结外加___反________向电压。
22、N型半导体可用___正________离子和等量的___负电子________来简化表示。
23、PN结正向偏置时,空间电荷区将变___窄________。
24、二极管的两个电极分别称为__阳____极和__阴____极,二极管的符号是________。
25、当温度升高时,三极管的输入特性曲线会__左___移,输出特性曲线会 上 ________移,而且输出特性曲线之间的间隔将__增大_________。
26、影响双极型三极管参数变化的主要因素是___温度__________。
27、P型半导体可用_负______离子和等量的___空穴_____来简化表示。
28、主要半导体材料是_硅_____和__锗____;两种载流子是__空穴_______和__电子_______;两种杂质半导体是_P型________和___N型________。
29、二极管外加 正 向电压导通,外加 反 向电压截止。
30、当温度升高时,三极管的参数β会 变大 ________,会 增加 ________,导通电压会 变小 _________ 。
31、双极型三极管有两种载流子导电,即____多数载流子_________和_少数载流子____________导电,而单极型三极管只有一种载流子导电,即__多数载流子___________导电。
32、N型半导体的多数载流子是 电子 ,少数载流子是___空穴_____。
33、某晶体管的极限参数,,。若它的工作电压,则工作电流不得超过__15_____;若工作电压,则工作电流不得超过____100___;若工作电流,则工作电压不得超过___30____。
34、放大电路中,已知三极管三个电极的对地电位为=-9V, =-6.2V, =-6V,则该三极管是______PNP_______型三极管,A为_______集电______极,B为_____基________极,C
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