超低介电常数SiOCH薄膜及其和扩散阻挡层相互作用地研究.pdf

摘要 随着器件的特征尺寸不断缩小，集成电路正向高性能和极大规模迈进，由此 导致寄生的互连电阻一电容(RC)延迟迅速增大，制约了集成电路功能的进一步 提高。采用Cu和低介电常数(10w一妨介质代替传统的Al和SiO。互连是降低RC 延迟最有效的途径之一。根据2007年国际半导体技术蓝图(ITRS)的预测，到 2016年22nm集成电路互连结构中电介质薄膜的体材料介电常数将降低至 1．9～2．3，即进入超低介电常数(ULK)范围。然而到目前为止，所制备的ULK 薄膜还远不能满足生产要求，这是因为ULK薄膜的诸多性能面临着工艺整合的挑 战，如力学性能、粘附性等。在此背景下，本论文首先探索了ULK薄膜的制备， 然后研究了铜互连结构中铜扩散阻挡层及其与ULK薄膜之间的相互作用。具体研 究内容包括以下几个方面： 1、以含有环型结构和不饱和碳氢侧链的四甲基四乙烯基环四硅氧烷作为前 驱体材料，采用旋涂技术成膜，并结合紫外辐照，因此制备出了含分子孔桥联 (molecular—pore x10—7 杨氏模量为5．6GPa，漏电流密度为9．86A／cm2@1MV／cm。对薄膜中成键 构型的研究分析发现，MPB-SiOCH薄膜中除含有一定量的(CH。)。SiO，，：(M， 还含有大量的Si-O