一种改进的忆阻器的SPICE模型及其仿真.pdf

29卷 第 8期 微 电 子 学 与 计 算 机 Vo1．29 No．8 2012年 8月 MICROELECTRONICS COMPUTER August 2012 一 种改进的忆阻器的 SPICE模型及其仿真 段宗胜，甘朝晖，王 勤 (武汉科技大学 信息科学与工程学院，湖北 武汉 430081) 摘 要：忆阻器(Memristor)是一种具有记忆功能的无源电子元件，其概念由蔡少棠于 1971年提出．2008年HP实 验室发现 了一种基于电阻开关的二端非易失记忆器件，从而证实了忆阻器的存在．在研究HP实验室发现的忆阻 器的基础上，分析了目前一些忆阻器模型的优缺点，设计了一种改进的忆阻器模型．经过PSPICE仿真验证，该模 型成功地模拟了HP实验室发现的忆阻器物理模型的基本特性． 关键词：忆阻器；模型；仿真 中图分类号：TM5O 文献标识码 ：A 文章编号：1OOO一718O(2O12)O8～O193一O7 AnImprovedM emristorSPICE M odelandSimulation DUAN Zong-sheng，GAN Zhao—hui，WANGQin (SchoolofInformationSc ienceandEngineering，WuhanUniversityofScienceandTechnology，Wuhan430081，China) Abstract：Memristorisapassiveelectronicdevicewithanon-volatilememory，which isproposedbyLeonChuain 1971．A 2-terminalnon-volatilememorydevicebasedon resistanceswitchingwasfoundinHP labsin 2008。and thatprovedtheexistingofmemristor．Inthispaperweanalyzetwomodelingmethodsofmemristorandthendesign animprovedmodelofmemristorbasedonthephysicalmodelofmemristorthatfoundbyHP labs．Itcanbefound thatthecharacteristicsoftheimprovedmodelcorrespondtothephysicalmodelofHP labsbyPSPICE simulation． Keywords：memristor；model；simulation 之间的关系为dq5=Mdq，其中M 被他定义为忆阻 1 引言 值．忆阻是一个与电阻具有相同量纲的物理量，在数 在电路理论中有四种基本变量 ：电流 i、电压 、 值上等于施加在忆阻器两端的电压和流经忆阻器的 电荷g和磁通量 ，从数学上分析，其中任意两个变 电流之比．2008年HP实验室发现了一种具有记忆 量之间的关系存在着六种可能性，即 功能的纳米双端 电阻L2]，其 电气特性与蔡少棠教授 dv==R ·di 预测的忆阻器特性相符，从而证实了第四种基本电 d∞一 L ·d 路元件——忆阻器的存在．忆阻器实际上就是一个 dq=：C ·dv 具有记忆功能的非线性电阻[3]，这一特性使其非常 (1) d0 一 ·d￡ 适合用于制造非易失性存储设备，也为开发具有类 曲 一i·dt