模拟电子技术第5版件第2章.docVIP

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模拟电子技术第5版件第2章

模拟电子技术(第2版) 第章自我检测题习题自我检测题参考答案 一、 填空题 1.三极管用来放大时,应使发射结处于正向偏置,集电结处于反向偏置。 温度升高时,三极管的电流放大系数β增大,反向饱和电流ICBO增大,正向结电压UBE下降。 . 有两只三极管:A管β=200,ICEO=200μA;B管β=80,ICEO=10μA,其他参数大致相同,一般应选B管。 .共射基本电路电压放大倍数为负值,说明输出信号与输入信号相位相差180o。 .放大电路未输入信号时的状态称为静态,其在特性曲线上的点为静态工作点;有信号输入时的状态称为动态,动态工作点移动的轨迹为交流负载线。 .在放大电路的下限截止频率处,放大倍数的幅度为中频处的0.707倍,这主要是由电路的频率引起的。 .场效应管是通过改变栅源电压来改变漏极电流(输出电流),所以它是一个电压控制电流源(或电压控制)器件。二、题 1.由于放大的是变化量,所以在输入直流信号时,任何放大电路的输出量都没有变化。(×)提示:直接耦合放大电路就有变化。 ×) 3.放大电路中各电量的交流成分是由交流信号源提供的。(×)提示:增加的幅度所需能量是由直流电源提供的。 4.通常JFET在漏极与源极互换时,仍有正常放大作用。(√)三、选择题.在共射基本电路中,集电极电阻RC的作用是(C)。 A.放大电流 B.调节IBQ C.防止输出交流信号对地短,把放大了的电流转换成电压。 在共射基本电路中,当用直流电压表测得UCE≈VCC,有可能是因为(A);当测得UCE≈0,有可能是因为(B) A. Rb开路 B. Rb过小 C. Rc开路 .当输入电压为正弦信号时,如果PNP管共发射极放大电路发生饱和失真,则输出电压波形将()。 A.正半周削波 B.负半周削波 C.不削波 .为了使高阻输出的放大电路与低阻输入的放大负载很好地配合,可以在放大电路与负载之间插入(B)。 A.共射电路 B.共集电路 C.共基电路 四、第章习题参考答案2.1填空题 1.三极管具有电流放大作用的实质是利用改变基极电流对集电极或发射极电流的控制。 2.三极管在电路中的三种基本连接方式分别是:①共发射极;②共集电极;③共基极。 3.放大器的输出电阻小,向外输出信号时,自身损耗小,有利于提高带负载能力。 4.2.2是非题 1.NPN型晶体管是由硅材料制成的。 (×) 2.晶体管有两个结,因此能用两个二极管连成一个晶体管。(×) 3.放大器的基本性能是具有信号放大能力。 (×) 4.频率失真是由电路中的电抗元件(电容、电感)引起的。 (×) 2.3选择题 1.某NPN硅管在放大电路中测得各极对地电压分别为UC=12V,UB=4V,UE=0V,由此可判别三极管(D)。 A.处于放大状态 B.处于饱和状态 C.处于截止状态 D.已损坏 设电路不会产生失真,2.4 测得工作在放大状态的某晶体管的电流方向、大小如图P2.1所示, ⑴求另一电极电流,并在图中标出实际方向; ⑵判断并标出e、b、c极,判断该管是NPN型还是PNP型; ⑶估算β值。 解:⑴判别方法如下:晶体管三个极的电流具有如下关系 IE IC IB IE= IC+IB 且IB最小。IE≈ ICIB 本例中,I3I1 I1应为基极电流 I2= I3- I1=2.1 mA-0.1 mA =2mA I3应为发射极电流,I2应为集电极电流 根据KVL,晶体管流进电流应等于流出电流,②极的电流应从晶体管流出,图中标出实际方向应自上而下。 ⑵判断并标出e、b、c极: 基极b,②集电极c,③发射极e 该管为PNP管。 ⑶估算β值 β≈==2 mA-0.1 mA =20 2.5测得电路中几个晶体管各电极如图P2.2所示,放大、饱和截止哪状态?解: 图a的三极管为NPN型Si管,处于放大状态。 图b的三极管为NPN型Si管,处于状态。 图c的三极管为NP型管,管子损坏,发射结开路。 图d的三极管为NP型管,处于状态。 图e的三极管为PNP型管,处于截止状态。图的三极管为PNP型管,处于状态。图的三极管为NP型管,处于截止状态。图的三极管为PN型管,处于状态。2.6当输入正弦波电压时,试分析图P2.所示各电路?为什么?解: 图(a)所示电路,不能放大交流信号。因为,三极管的,。 图(b)所示电路,不能放大交流信号。2.7某放大电路及晶体管输出特性曲线如图P2.4所示,图中VCC=12V,Rc=5.1 kΩ,Rb=300 kΩ,RL=5.1 kΩ,晶体管UBE忽略不计。试用图解法确定静态工作点Q。 解:用图解法确定静态工作点步骤如下: 求IB μA求特殊点 设C=0,则CE

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