钙钛矿结构（La，Ca）（Mn，Ti）O-%2c3-材料制备和性能的研究.pdfVIP

摘要 钙钛矿结构材料覆盖了整个电气性能范围，包括了：铁电体、顺电体、压电 体、反铁电体、绝缘体、半导体、快离子导体、金属导体和超导体。对理想钙钛 矿晶体结构的微小偏离往往会导致新的性能的产生。复铁电性磁电子材料是在同 一相中同时具有铁电性和铁磁性的材料，可以应用到传感器，波导器件，转换器， 相位倒相器，变频器，调节器等，在无线电电子学，光电子学，微波电子学等领 域的发展具有重要意义。铁电性和铁磁性都有着相同或相似的晶体结构，即钙钛 矿结构或是类钙钛矿结构。因此，制备在单一钙钛矿结构材料中同时存在铁电性 和铁磁性的材料成为可能。在钙钛矿结构(Re，Ae)Ti03(Re为三价稀土离子，Ae为 二价碱土离子)材料中，A位离子的取代可以对材料的极化性能和电阻特性产生影 响。然而，B位磁性离子(Mn离子)的引入，不仅会影响材料的介电性能，还可 能由于存在Mn3+，Mn4+双交换作用以及一Mn—O—Mn一电子输运通道的形成，对材料 的导电性能和磁性能产生影响。所以，深入研究(Re，Ae)(Mn，Ti)03材料的微观结 构和性能，对复铁电性磁电子材料的发展具有重要意义。 本文采用固相烧结法，成功制备了单相Lao5Cao5Mn。Tn03(O≤z≤O．8)材 料。重点研究了B位Mn掺杂对材料结构，介电性能，电阻特性和磁性能的影响， 并分析了对性能产生影响的微观机制。本文还研究了制备工艺条件对材料结构的 影响以及材料结构变化对介电性能的影响。 研究证明： 在相同的烧结工艺条件下，随着Mn含量的升高，更多的Ti4+离子被离子半径 相对较小的Mn4+离子替代，晶格常数减小。h佃的掺杂能够促进 La0．5ca05MnxTil_x03材料晶粒生长。相同烧结条件下，随着Mn掺量的升高，晶粒 尺寸增大，材料孔隙率减小趋于致密。 高温烧结，有利于Lao5Ca05Mnxrnl．x03材料中的Mn4+更完全的进入晶格的B 位替代Ti4+离子，造成晶胞体积减小；也有利于离子的扩散，促使 Lao．5Cao5MnxTil_x03材料晶粒生长和材料块体的致密化。烧结时间延长，固相反 应更完全，离子有充分的时问扩散和迁移，晶粒长大，晶粒形状趋于完整，材料 致密化程度提高。 Mn含量较低时(z≤O．3)，La05Cao5Mn，Til．。03材料内部存在空间电荷极化， 松弛极化和位移极化。Mn含量较高时(O．4≤z茎0．6)，Lao5cao5Mn。Til．x03材料 内部形成了(肋，j以。)复合缺陷型类偶极子，材料的介电常数大幅上升。Mn 含量很大时(xo．6)，材料内部开始出现(胁：·吒‘·^碱)直线型排布的复 合缺陷，(蚴zj·吃’·^锄；)的出现消耗了(^琏i％。)型类偶极子，介电常 数又开始下降。 烧结温度升高和烧结时间延长都会使得La0．5Cao．5Mn。Til．。03材料晶粒长大， 材料致密化程度更高。大晶的粒度有利于在单个晶粒中形成多个畴，畴域界的运 动可以在单个晶粒内形成大的极化强度，形成了更高的介电常数。材料孔隙率降 低趋于致密化，是材料的相对介电常数增大的另一个原因。 Lao5Cao5Mn小1．x03体系材料中，随着Mn掺杂量的增大，体系提供的3d电子 数增多，同时电子输运通道改善，导电性得到了提高。Lao5ca05Mn，Til_x03 (o≤x≤o．4)材料的室温电阻率还呈现电阻电压效应。 La05Cao5Mn。Til．。03(osxso．7)材料中，Mn离子含量增大，则抑制了自旋 扰动，不易在样品内形成短程铁磁关联的团簇，从而使得磁导率上升。Mn含量增 大导致参与双交换作用的Mn3+／Mn4+比例上升，是材料磁导率上升另一原因。 关键词：钙钛矿结构，铁电一铁磁性，Mn掺杂，烧结条件，极化机制，导电机制 Abstract materialshavebothfermelec伍c Muhiferroelectric·magnetoelectric pmperties a11d ina totlleir fermma印eticpropeniessin百ephase．DueuIliquepropemes，tllese materimshavebeenutmzed as眦lsducers，wavegui