超声喷雾热分解法制备ZnO透明导电薄膜的地研究.pdf

中文摘要 之后(400nm以上)，IZO薄膜结构和电学特性趋于稳定。 面生长，使ZnO薄膜由未掺杂时的六角片状向三角块状转变。hl的掺入亦能有 效提高ZnO薄膜的载流子迁移率，从而降低薄膜的电阻率。深入分析了采用USP 法制备三角形绒面表面形貌的IZO薄膜需要(101)晶面取向的晶体结构要求。 为USP法制备具有绒面形貌ZnO．TCO提供了指导性实验结论。当hl掺杂量为 1．5at．％时可获得较低电阻率的IZO薄膜，其电阻率为2．48X10一Q·gin。制备的 IZO薄膜的总透过率均达到80％。将其作为前电极与FTO作对比，应用于硅薄 膜太阳电池中，在无ZnO做复合背反射层的条件下，微晶硅电池效率5．01％； Sn02：F(FTO)上获得的微晶硅电池特 明显优于在日本ASAHI公司生产U．type 性。 第三，从表面形貌和电学特性两方面对IZO薄膜特性进行改善。采用低成 2000玻璃的化学方法，改善衬底表面形貌，并增加粗糙度。 本的HF腐蚀eagle 以此改善IZO薄膜绒面形貌，增强对入射光的散射作用。提出IZO／AZO和 采用溅射法生长AZO薄膜，形成IZO／AZO复合膜。该复合膜具有圆锥形绒面 形貌，对入射光有较强的散射能力；同时仍具AZO低电阻率的特点。在eagle2000 复合膜。利用IWO薄膜高迁移率、低电阻率的特点，制备出具有较高迁移率(约 50 貌，对入射光有较强的散射作用。为制备较低电阻率、良好绒面形貌复合透明 导电薄膜提供了实验参考。 通过对不同结构双层膜的研究，得出双层膜的表面形貌主要依赖于基础层， 表征层对双层膜电学特性具有重要影响。另外，优良双层膜特性需足够厚的基 础层以提供良好的晶粒基础(约400nm)，但过厚的基础层(约600nm)会降 低双层膜的透过率。生长基础层之后的降温过程可为基础层提供一个完整的成 膜过程，使每一层IZO薄膜保有各自的特性，有利于实现对双层薄膜特性的调 控。将具有良好电学特性和绒面形貌的双层IZO薄膜应用于非晶硅薄膜太阳电 Sn02：F相近的电池特性。 池中，获得了与日本的ASAHIU．type Ⅱ 中文摘要 掺杂；太阳电池 IlI 中文摘要 IV Abstract Abstract ZnO conductiveoxide texturedsurface has transparent ffco)with morphology beenthe anodematerialsforsiliconthinfilmsolarcells．The importanttransparent mainfabricationmethodsofZnO—TCOwithtexturedsurface are morphology themare cost and of MOCVD．However,bothhigh methods．Therefore， sputtering lowcostmethodfor ZnO-TCO、Ⅳimtexturedsurface for preparing morpholo