（信号線間）の扱いについて.pptVIP

Semiconductor Package Electrical Characterization SC PKG内のVGプレーン有無による多層基板内の信号配線間の 　　　　　　　　　　　　　　　　　　層間カップリング（信号線間）の扱いについて PKG内にVGプレーンがある場合とない場合で、多層基板内の信号配線間の層間カップリング（信号線　間）はどのように考慮するか？　 VGプレーンが信号配線間に入っている場合、信号配線間のカップリングは無視してよいか？ 無視してよい。ただし、信号間に入っている電源、グランドプレーンの位置関係によって、プレーン共振の変動が乗る場合があるので、注意する。 ※検証方法について 　　※１）　多層基板内の電源、グランドプレーンの種類、配置によって、プレーンを挟んだ信号間で　　　　　　どのような影響があるかをＳパラメータで評価する。（フルウェーブ電磁界シミュレータ使用）  　　※２）　多層基板内の信号配線間の影響を下記３種類のモデルで検証する。 　　　　　　　Case-１　　信号配線層間に共通のグランドプレーンがある場合 　　　　　　　Case-２　　信号配線層間にそれぞれの信号系と関連のないプレーンが有る場合 　　　　　　　Case-３　　Ｃａｓｅ－２の信号系と関連のないプレーンが、グランドプレーンにバイパスされている場合　　　 　　　　　　　　　　　 　　　 　　※３）　モデルについて 　　　　　　　?電源、グランドプレーンのある多層インターポーザーを持つ　　　　　　　　パッケージを想定し、層構造の寸法を　図－１　に示す。 　　　　　　　?モデルの配線方向の長さは、プレーンを間に挟む信号線が　　　　　　　　上下で重なる部分を約１０ｍｍとし、詳細は次ページ以降に示す。 図－１　 ※検証モデルの詳細 　　Case-1　　信号間に共通のグランドプレーンがある場合　　　　　　 信号間に共通のグランドプレーン L2 L3(Plane) L4 L2 L3(Plane) L4 １０ｍｍ 信号 ポート 信号 ポート 　　Case-２　　信号配線層間にそれぞれの信号系と関連のないプレーンが有る場合　 側面ＰｅｒｆｅｃｔＥ 信号のリファレンスプレーン 浮きプレーン １０ｍｍ L1(Plane) L2 L3(Plane) L4　 L5(Plane) 信号 ポート 配線の両脇上下にPADを配置（Ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ０．１μＦ） 側面ＰｅｒｆｅｃｔＥ 側面ＰｅｒｆｅｃｔＥ １０ｍｍ Case-３　　Ｃａｓｅ-２の信号系と関連のないプレーンが、　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　グランドプレーンにバイパスされている場合　　 信号のリファレンスプレーン リファレンスとバイパスされているプレーン L1(Plane) L2 L3(Plane) L4　 L5(Plane) 信号 ポート 　　Case-1　　真ん中が共通グランドプレーンの場合　　　　　 ※磁界でみると??? 磁界は、信号とリファレンスプレーン間にのみ見られる。 プレーンの反対側に位置する信号周辺に磁界の変化は無い。 （励振源は下側信号配線のみ） @8.1GHz