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东南大学现代检测技术第四次实验.doc
检测技术实验报告
院(系): 自动化 专业: 自动化
姓名: 学号:
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评定成绩: 评阅教师:
实验一:发光二极管(光源)的照度标定
一、实验目的:
了解发光二极管的工作原理及工作电流与光照度的对应关系。
二、需用器件与单元:
主机箱(恒流源、电流表、照度表);照度计探头;发光二极管;遮光筒。
三、实验原理:
发光二极管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物,如GaAs(砷化镓)、 GaP(磷化镓)、GaAsP(磷砷化镓)等半导体制成的,其核心是PN结。因此它具有一般P-N结的I-N特性,即正向导通,反向截止、击穿特性。此外,在一定条件下,它还具有发光特性。
在正向电压下,电子由N区注入P区,空穴由P区注入N区。进入对方区域的少数载流子(少子)一部分与多数载流子(多子)复合而发光,假设发光是在P区中发生的,那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光,或者先被发光中心捕获后,再与空穴复合发光。
除了这种发光复合外,还有些电子被非发光中心(这个中心介于导带、介带中间附近)捕获,而后再与空穴复合,每次释放的能量不大,不能形成可见光。发光的复合量相对于非发光复合量的比例越大,光量子效率越高。由于复合是在少子扩散区内发光的,所以光仅在靠近PN结面数μm以内产生。
原理图如下:
发光二极管的工作原理
四、步骤:
1、按图1-2配置接线,接线注意+、-极性。
2、检查接线无误后,合上主机箱电源开关。
3、调节主机箱中的恒流源电流大小即发光二管的工作电流大小就可改变光源的光照度值。拔去发光二极管的其中一根连线头,则光照度为0(因恒流源的起始电流不为0,要得到0照度只能断开光源的一根线)。按表1进行标定实验(调节恒流源),得到照度—电流对应值。
图1—2 工作电流与光照度的关系
表1
照度(Lx) 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 130 140 150 电流(mA) 0 0.24 0.33 0.40 0.48 0.56 0.63 0.69 0.76 0.81 0.88 0.94 1.02 1.07 1.15 1.22 电压(V) 0 2.63 2.68 2.72 2.74 2.77 2.80 2.82 2.84 2.86 2.88 2.9 2.91 2.93 2.95 2.96 照度(Lx) 160 170 180 190 200 210 220 230 240 250 260 270 280 290 300 电流(mA) 1.30 1.37 1.44 1.52 1.6 1.66 1.73 1.8 1.89 1.96 2.02 2.11 2.19 2.25 2.33 电压(V) 2.98 2.99 3.01 3.02 3.03 3.05 3.06 3.08 3.10 3.11 3.12 3.13 3.14 3.16 3.17 4、关闭主机箱电源,再按图1-3配置接线,注意+、—极性。
图1—3 工作电压与光照度的关系
5合上主机箱电源,调节主机箱中的0~24V可调电压(电压表量程20V档),就可以改变光源(发光二极管)的光照度值。
按表7-1进行标定实验(调节电压源),得到照度~电压对应值。
6、根据表1画出发光二极管的电流~照度、电压~照度特性曲线。
注:由于发光二极管(光源)离散性较大,每个发光二极管的照度-电流对应值是不同的。实验者必须保存照度-电流对应值,为以后做光电实验服务。如以后做实验提到光照度值只要调节恒流源相应电流值,省去烦琐的每次光源照度测量。实验者只能在相应的实验台完成以后的光电实验。
实验二 光敏二极管的特性实验
一、目的:
了解光敏二极管工作原理及光生伏特效应。
二、基本原理:
当入射光子在本征半导体的p-n结及其附近产生电子—空穴对时,光生载流子受势垒区电场作用,电子漂移到n区,空穴漂移到p区。电子和空穴分别在n区和p区积累,两端便产生电动势,这称为光生伏特效应,简称光伏效应。光敏二极管基于这一原理。如果在外电路中把p-n 短接,就产生反向的短路电流,光照时反向电流会增加,并且光电流和照度基本成线性关系。
三、需用器件与单元:
主机箱、光敏器件实验(一)模板、光敏二极管、发光二极管、4 位数显万用表DC 20mA电流档(自备)。
四、步骤:
1、光照特性:
将图2-1中的光敏电阻更换成光敏二极管,按图2—1安装接线(注意接线孔的
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