一些离子键晶体电子俘获机理的研究.pdfVIP

摘要 为了更深入地了解皂王堡堑塑垫的韭兰墅．t进一步提高它们的光存储性 能，我们在一些离子键(或离子性较强的)晶体中研究了虫王堕雕的形成和俘获 机制，其中着重讨论了Sm掺杂和共掺杂的碱土金属硫化物的电子俘获机理。制 储材料，它们在激发后都可存储光能并在红外光的照射下将存储的光能释放出 来，产生光激励发光。针对过去对于这类材料的研究报道中的一些问题，对Sm 离子在其中的作用以及它的价态进行了研究，并提出了一个新的电子俘夔机理的 在光存储过程中的稀土离子价态的变化。 本文主要通过吸收光谱的方法，来考察Sm离子在碱土金属硫化物中对电子 较，我们发现Sm离子与陷阱的深度和存储稳定性有关，在没有Sm离子的的样 不一定是电子俘获中心。在sm掺杂和共掺杂的cas和srs中都观察到了处于近 红外区的sm¨的4f-4f尖锐吸收峰，样品被激发以后从紫外到红外的波长范围内 吸收光谱与激发前相比发生了变化，在近红外区增强的吸收宽带对应电子被激励 出陷阱的跃迁。通过对Sm3+吸收峰的观察，我们讨论了Sm3+离子的价态和数量 在激发后是否变化和sm3+离子是否转化成sm2+等问题，我们同时也测量了 置与Sm3+吸收峰相同的凹陷，通过这一谱型结构我们分析了sm3+离子与电子俘 获中心的关系。电子俘获过程中所伴随的空穴俘获使样品被激发后在可见区吸收 的热释峰不同，虽然它们的电子陷阱结构和深度是相同的，由此说明了热释峰的 位置不仅仅与陷阱深度有关，还与电子．空穴复合的速率有关。通过EPR实验我 有发生变化。 另外我们还简单地介绍了Eu2+和Sm2+的一般发光性质，以了解它们的光谱 特征并有助于对Eu和sm离子的价态进行鉴定。 我们也研究了BaFBr：Eu的吸收光谱和在紫外光激发前后的吸收光谱差，发 现这一吸收差的谱型也与其光激励谱有很好的对应，说明它是一个很好的研究电 子俘获的方法。最后我们对SrAJ20。：Eu，Dy等长余辉材料进行了研究，讨论了Eu 和Dv在电子和空穴俘获过程中的价态，并指出过去有的作者提出的Eu2+离子俘 获电子成为Eu+的模型是违反洪特定则的。．L— J，略 Abstract Forchesalce to of ofbetter咖derstarIding electron the叩tjcaIpfoperties trappjng and materialsfurther oftheir fomlationof improVement optical咖rage capability，the alld mechanisminsome electron仃aps ionic(of ionic) trapping predominantly were tlle Sm and crystals wo咄the inVest塘ated．1npresent doped co．doped aIkaline·eanhwere sumdes studied．The as mat舐als踟ch ma抽ly