新结构SOI材料和器件物理的研究.pdf

过823260 新结构soI材料与嚣件物理研究 新结构SOl材料与器件物理研究 朱呜(微电子学与固体电子学) 指导导师：林成鲁研究员，朱剑豪教授 摘要 集成电路正在从微电子时代发展到微纳电子时代，现有的体硅材料和工艺正接近 它们的物理极限，遇到了严峻的挑战，必须在材料和技术上有重大突破。SO[(Silicon OilInsulator)技术能突破体硅材料与集成电路的限制，将成为微纳电子时代取代现有 体硅材料的核心支撑技术之一。SOl技术和体硅技术相比拥有许多不可比拟妁优势， 然而，传统SOl材料中低热传导率的Si02埋层所引起的自加热效应，阻碍了SOI技 术在高温、高压领域的进一步发展，因此，寻找具有高热传导率的Si02埋层的替代 者就变得非常重要。 本论文正是在上述背景下，结合我们承担的973、国家自科学基金等项目开展 Like Carbon)、SiO。N。为绝缘埋层的新结构SOI材料；第二，通过数值模拟的方 法，研究SOI器件中的自加热效应和浮体效应；第三，研制具有抗辐照特性的 SOICMOS电脉冲时间间隔测定器等。获得的主要结果如下： 创新r『生地采用以氨气为反应气体的超高真空电子束蒸发、等离子体浸没式离子注 入这两种工艺制备了低含氧量、表面平整、绝缘性能优异的A1N薄膜。通过优化的 onA1N)材料。分析表明，SOAN的顶层硅具有良好的单晶质量和电学性能，无定形 的AIN埋层绝缘性能优异，与硕层硅以及硅衬底之问的界面清晰、陡直。SOAN材 料的成功制备为拓展SOI技术在高压、高温领域的应用提供了依据， on Diamond)}#料。首 首次成功制备了以DLC薄膜为埋层的新结构SOD(Silicon 先，采用等离子体浸没式离子注入．沉积工艺成功制备了表面平整、绝缘性能牵温度 稳定性能优异DLC薄膜。进而，通过Si／DLC直接键合的工艺，成功制备了新结构 SOD材料，分析结果表明顶层硅具有非常好的单晶质量且没有任何缺陷，Si／DLC的 中国秆学院上海微系统与信息技术研究所博士学位论支 摘要 界面陡直，粗糙度仅在几个原子之间。 创新性地采用低成本、高效率的氮、氧等离子体共注入结合Si／SiO。Ny直接键合 的工艺，成功制备了以SiOxN。为绝缘埋层的新结构SOI材料。分析结果表明埋层中 由于氧成分的存在，高温退火后仍保持优异的绝缘性能，且与高质量的顶层单晶硅之 间的界面清晰而陡直， 利用二维器件模拟软件MEDICI，首次深入分析和模拟了SOAN村底上不同特征 尺寸MOSFET的电学特性和温度分布，并与传统SOI器件进行了对比。结果表明 SOAN器件沟道区温度升高和负微分电阻现象相比传统SOI器件都有明显的减弱，也 就是说自加热效应得到了明显的抑制。该研究结果证明AIN是传统SOI结构中Si02 埋层合适的替代者。 在深入分析和模拟SOI器件浮体效应的基础上，利用MEDICI对隐埋式p-区体 接触和SiGe窄禁带源这两种新结构器件的输出特性、转移特性、空穴电流等等进行 了系统的数值模拟，证实了这两种器件结构抑制浮体效应的可行性，并对其抑制浮体 效应的机制进行了分析。 SOI 基于1．’um CMOS的设计规则，设计了电脉冲时间问隔测定器的版图和电 路，详细描述了其工作原理以及抗辐照加固的优化设计，并对该电路进行了流片及测 试。结果表明该soI电路在测量精度、测量速度以及抗辐照等方面都优于同类的体 硅由．路。 关键词：绝缘体上的硅(S01)，自加热效应，浮体效应，等离子体浸没式离子注入 1I 中国科学院上海微系统与信息技术研究所博士学位论文 !!坚堕!!!!!!!竺!!型!O—IDevice—IPhy—slcs