甚长波量子阱红外探测器光耦合性能的研究.pdf

摘要 量子阱红外探测器(OwIP)在过去的几年中得到了迅速的发展。和传统材料 Hg。Cdl．。Te制备的红外探测器相比，量子阱红外探测器可以形成大面积、低功耗、 低成本、高均匀性和高灵敏度的焦平面列阵(FPA)成像系统。在线性阵列和焦 平面阵列的快速发展，显示了QwIP技术在长波红外大面积焦平面阵列和多色成 像应用方面的巨大潜力。 但是，对于普遍使用的n型(110)GaAsQwIP，由于量子吸收的选择定则， 是不可能对垂直入射的红外辐射进行吸收。所以，为了提高器件的响应率和探 测率，必须对OwIP器件的表面做一些特殊结构或器件，譬如45度磨角，一维、 二维周期光栅，无序光栅，C—OwIP等。 本论文针对II卜V族化合物半导体GaAs／A1GaAs超晶格材料构成的制造量子阱 红外探测器的电学性能、光耦合性能进行研究和分析，主要内容包括： (1)根据量子阱红外探测器探测波长的需要，简要地讨论几种超晶格量子阱 能级结构计算模型：对GaAs／AlG“s量子阱红外探测器的响应率、探测率的影响 因素进行初步分析；讨论了量子阱红外探测器暗电流的形成机制，分析器件的暗 电流特性。 (2)量子阱红外探测器对垂直于阱层面的入射光吸收具有禁戒性。只有电矢 量垂直于多量子阱生长面的入射光，才能被子带中的电子吸收而从量子阱的基态 跃迁到激发态，导致电导率的变化而被器件所探测。为了加深对量子阱带间跃迁 红外光吸收特性的了解，优化光耦合设计，我们分析了量子阱子带跃迁与红外辐 射的依赖关系，对各种光耦合模式的设计思想，性能及适用范围进行了介绍，基 于模态扩展方法、有限时域差分法等理论工具，我们分别对量子阱红外探测器的 几种光耦合模式进行了研究，得到器件的光耦合几何参数随响应波长的变化曲 线。把此曲线作为优化光耦合模式的依据。内容主要有： (a)从增加器件的吸收系数角度出发，讨论如何优化磨角光耦合模式的设计。 (b)甚长波QwIP的二维周期光栅的结构参数以及无序光栅的设计。 (c)对工艺过程可能造成的影响，譬如刻蚀误差造成的“毛刺”现象、“盆 型”光栅以及圆柱形光栅也进行了讨论。 (d)波纹耦合(c—QwIP)与45度磨角耦合、二维周期光栅的分析比较。 本论文的主要创新工作主要有： 的计算中涵盖了(O，m)所有可能阶的衍射波；利用有限时域差分法，模拟量子阱 层的光场强度分布情况，给出了甚长波光耦合结构参数的较为理想的设计结果。 (2)对工艺过程可能造成的影响，如刻蚀底部不平整性、不规则光栅形状等 对光栅耦合效率造成的误差也进行了讨论。 (3)结合实验研究了实际生长的器件的四种光耦合模式，从器件光路分析出 发，讨论下电极层、衬底长度、光栅只做一半时等因素对其光耦合学性能造成的 影响，获得了一些有意思的结果。 关键词： 量子阱红外探测器(则IP)；焦平面列阵(FPA)；光耦合；暗电流；磨角光 耦合；二维周期光栅；无序光栅；c—QwIP； II Abstract Intlle several Inf}aredPhotodetectors techn0109yofQuant啪well past years，也e been withtheconventional (QwIP)hasdevelopedr印idly．Compared Hg)【CdI．xTc values in in抒ared superioritypmduct photodetectors，thcQWIPtecllllologya掣eat fabricateaIl itcan largearea，low coSt， rate，since ima百ngsyst