SiC薄膜的制备及性能与研究.docVIP

SiC薄膜的制备及性能研究 指导老师： 学生姓名： 专业班级： 材料工程 摘 要 碳化硅被誉为下一代半导体材料，因为其具有众多优异的物理化学特性，被广泛应用于光电器件、高频大功率、高温电子器件。本文阐述了SiC研究进展及应用前景，从光学性质、电学性质、热稳定性、化学性质、硬度和耐磨性、掺杂物六个方面介绍了SiC的性能。SiC有高的硬度与热稳定性,稳定的结构,大的禁带宽度 ,高的热导率,优异的电学性能。同时介绍了SiC的制备方法：物理气相沉积法和化学气相沉积法，以及SiC薄膜表征手段。包括X射线衍射谱、傅里叶红外光谱、拉曼光谱、X射线光电子能谱等。最后讲了SiC的光学性能和电学性能以及参杂SiC薄膜的光学性能研究进展。 关键词：SiC，溅射，掺杂，性能研究 Study On The Synthesis And Properties Of SiC Film Class : Material Engineering Name : Hengyi Wang Instructor : Yuxiang Li Abstract Silicon carbide is known as next-generation semiconductor materials, because it