勾型磁场条件下400mm大直径直拉单晶硅生产工艺研析.pdfVIP

摘要 单品硅是最重要的半导体材料，特别是随着电子信息产业和太阳能发电技术的大面积推广， 对单品硅材料的需求非常大，同时单晶硅的品质及其尺寸的要求也随之提高。一般来说，杂质是 影响单品硅性能的主要因素，氧是其中最主要的杂质之一，因此，控制单品硅中的氧含量是获得 高品质太阳能级单晶硅的重要课题。相对于一般直拉单晶硅来说，大直径单晶硅在生产过程中， 由于其坩埚尺寸大，装料量大，坩埚壁与熔体接触面积大，坩埚分解的杂质也随之增加；熔体运 动剧烈，坩埚壁冲刷强度大，坩埚分解速率高，熔体运输能力强，晶体中氧含量较高；炉体结构 尺寸大，自由表面上方空间大，SiO挥发量较快。因此，本文开展了晶体生长过程中杂质含量控 制的研究，着重研究了400mm大直径直拉单晶硅生长过程中熔体对流的运动过程，提高大直径 单晶硅的质量。 由于单晶炉内的高温环境导致对固／液界面的直接观察极为困难，且实验拉晶也将耗费较高的 成本，因此我们采用数值模拟的实验方法，综合单晶硅的品质和尺寸对等径阶段大直径直拉单晶硅 的生长过程进行模拟，通过磁场的结构参数的优化，找到了最佳熔体内磁场的分布；调整拉晶过 程中的晶埚转和提拉速度，改善熔体运动方式，减少杂质向晶体的运输；通过对不同氩气进口速 度下气体流场演变过程的模拟，找到了最佳氩气进口速度范围，并首次提出了三相点处的气体涡 流及其影响。 关键词：：单晶硅，固液界面，氧含量，熔体对流，气体涡流 Abstract withthe areaofelectronic Siliconisthemost semiconductor large important material，especially and forsilicon information generationtechnologypromotion，demand industryphotovoltaicpower sizeof stallinesilicondemands materialis atthesame and monocry verylarge，and time，quality thatinfluencethe of arethemainfactors single increase．In performance general，theimpurities main the contentin isoneofthe impurities，therefore，controloxygen single crystalsilicon，oxygen tasktoobtain solar with siliconis an gradesilicon．Compared crystal important high—quality thecrucible siliconinthe