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半导体MOS管检验作业指引 起草者：贺俊杰 日期：2009年09月11日 核对者： 日期：2009年 月 日 批准者： 日期：2009年 月 日 REVISE RECORD 文件修订记录 REV 版本 ECO № 更改通知 REVISE DETALL 修 订 简 述 DATE 日 期 PREPART 制 定 CHECK 审 核 APPROVE 批 准 A/0 / 首次发行 09-9-11 贺俊杰 一、目的： 规范半导体MOS管检验过程和检验方法的一致性和准确性。 二、职责： 1、技术员负责该标准的执行，并认真做好相关记录。所有的实验，在没有特殊规定的情况下，一律按本标准进行测试。 2、零件承认工程师负责监督技术员的执行情况和相关报告的审核，并负责所属样件作业指引的制定。 3、部门负责人负责本标准的审批。 三、半导体NOS管检测项目： 1、外观检验项目： 1.1、表面标识正确，清晰易辩、无模糊，内容符合文件要求。 1.2、本体无裂痕、边角破损、刮花或凹陷等不良现象。 1.3、引脚无氧化发黑、无断裂、锈蚀、批锋、压痕、变形、污渍等不良现象。 1.4、尺寸参数与样品规格书规定的标准相符。 2、性能检验项目： 2.1、极性判断： a)判定栅极G： 将万用表拨至R×1k档分别测量三个管脚之间的电阻。若发现某脚与其字两脚的电阻均呈无穷大，并且交换表笔后仍为无穷大，则证明此脚为G极，因为它和另外两个管脚是绝缘的。 b)判定源极S、漏极D： 在源-漏之间有一个PN结，因此根据PN结正、反向电阻存在差异，可识别S极与D极。用交换表笔法测两次电阻，其中电阻值较低（一般为几千欧至十几千欧）的一次为正向电阻，此时黑表笔的是S极，红表笔接D极。 2.2、漏-源极击穿电压测试VDSS： a)测试条件： 1、环境温度Ta=25℃； 2、测试电流IDS与部品规格书上的测试电流相同。 b)测试设备：半导体管特性图示仪XJ4810 c)测试方法： 把图示仪的二极管测试台引两根引线出来，正电极接MOS管的漏极D,负电极接MOS管的源、栅极（源极和栅极短路），接上后，再调节Y轴电流按钮和X轴电压按钮到指定的电压电流；最后慢慢地把调制峰值电压按钮从0%往上调高，当LCD面板的坐标图显示D、S极被击穿时，其读数为管的。 2.3、漏、源极漏电流测试： a)测试条件： 1、环境温度Ta=25℃； 2、测试电压与部品规格书上的测试电压相同。 b)测试设备： 1、可调直流电源； 2、电流表（最高精度为0.001uA） 把测试设备和被测MOS管如图1线路连接起来，所测的读数即为管的。 5、标示耐擦性检测： 用干净棉布沾上酒精在样品上来回擦拭五遍，观察样品表面字迹不可出现变色、模糊不清或无法辨认等异常。 四、注意事项： 1、首次采购的原材料均应通过新品认定试验。 2、新品认定试验由公司研发部门或由用户指定或委托的质量检验单位负责进行。 3、进行新品认定试验的样品数量不少于20PCS。 4、试验中出现异常，或某些项目通不过，应停止检验，查出异常原因，写出异常分析报告后，再进行该项目的试验。在整个检验中再次出现异常，则判该产品通不过新品认定试验。 5、检验后要提交检验报告。 6、实验中不能用身体任何部位直接接触实验样品，以免烫伤。 7、当实验电压超过36V时，切勿接触输出端，以免受到电击。 精品文档，欢迎下载！ 精品文档，欢迎下载！ 东 莞 市 乐 科 电 子 有 限 公 司 文件名称 文号 管制印章 半导体MOS管检验作业指引 版本 日期 第 2 页 共 5 页