GaAs光电阴极光学性能和量子效率仿真研究.pdfVIP

第 l0卷 第 16期 中 国 科 技 论 文 Vo1．1ONo．16 2015年 8月 CHINA SCIENCEPAPER 透射式指数掺杂 AlGal-xAs／GaAs光 电阴极 光学性月-／,,la匕和量子效率仿真研究 冯 垮 ，张益军，钱芸生 (南京理工大学电子工程与光电技术学院，南京 210094) 摘 要：为 了更好地 了解影响透射式指数掺杂ALGa As／GaAs光电阴极性能的因素，利用薄膜光学的矩阵法推导的光学性能 函数，以及考虑窗口层光电子贡献作用的透射式指数掺杂AI~Ga As／GaAs光电阴极量子效率公式建模进行仿真，研究了光电 阴极 中A GalAs窗口层、GaAs发射层厚度变化及 ALGa As窗 口层中A1原子数分数的变化对光学性能和量子效率的影 响。结果表明：A1Gal，As窗口层厚度的变化和Al原子数分数的变化对光学性能和量子效率的短波区域影响较大，而GaAs发 射层的厚度变化对长波