GaAs抛光片腐蚀过程初步研究.pdfVIP

维普资讯 第 25卷 2期 半 导 体 杂 志 2000年 6月 GaAs抛光片腐蚀过程初步研究 {一 弓6 、 (信息产业部电子第四十六研究所，天津，300192) 摘要 ：采用 X射线衍射 、X射线双晶衍射和 X射线荧光三种手段对经 SO4： O2： O 16：1：1 和 3：t：1腐蚀液 在不同腐蚀条件下得到的 GaAz片于进行近表 层结 晶完整性 、片子表面的残留 产物以及发射二次 X射线情况测量，井 关t调：GaAs垫娄皇 ；x射线 中圈分类号 ：TN3052 文献标识码 3077(2000)一02—17—06 PrimaryStudyofEtchingProcessforPolished GaAsW afers (Tia州inElectroniciateriMsResearchInstitute，Tianjin，300192) Abstract：ThestudiedwarerswPAeetc