《一种采用Li3N掺杂电子注入层的底发射倒置结构OLED的制备》.pdfVIP

第 4O卷第 2期 光 子 学 报 Vo1．40No．2 2011年 2月 ACTA PH0T0NICA SIN ICA February2011 文章编号 ：1004—4213(2011)02—0199—5 一 种采用 Li3N掺杂电子注入层 的底发射 倒置结构 OLED的制备 · 张睿 ，李传南，李涛，崔 国宇，侯 晶莹，赵毅，刘式墉 (吉林大学 电子科学与工程学 院 集成光 电子学 国家重点联合实验室 ，长春 130012) 摘 要 ：采用 Li。N掺杂 电子注入层 Alq3：Li3N，制作 了一种结构为 ITO／Alq。Alq。：Li3N／Alq3／ NPB／MoO。／Al的倒置底发射有机发光 器件．其 中 ITo玻璃作为透 明阴极 ，金 属 Al作为顶部 阳 极 ，在 ITo 阴极与 电子传输层之 间加入 I Nn型掺杂层 ，改善 了该器件 的电子注入和传输能力 ； 在 Al阳极与空穴传输层之 间加入 MoO3缓 冲层 ，降低 了Al阳极与 NPB之 间较大 的空穴注入势 垒，改善 了空穴注入能力．实验表 明：此结构的倒置底发射有机发光器件性能可达到传统结构的常 用有机发光器件如 ITO／NPB／Alq。／iiF／Al的性能，完全可 以满足非晶硅薄膜 晶体管有 源有机发 光器件 中驱动 电路 的匹配及性能要求． 关键词：有机发光器件 ；倒置底发射结构；Li。N；n型掺杂；势垒 中图分类号 ：TN873．3 文献标识码 ：A doi：10．3788／gzx0199 0 引言 置结构 ，上电极是公共 阳极 ，这与传统 的 oIED结 构不同．解决方案之一是使用顶发射 OLED，即底电 有 机 发 光 器 件 (Organic Light—Emitting 极采用金属阴极 ，顶 电极采用透 明阳极 ，如 ITo_1]． Devices，OLED)作为新一代显示 器件，具有主动发 另一种方法是采用 ITO作为透 明阴极，上 电极采用 光、亮度高、省 电、重量轻 、以及可制备在柔性衬底上 金属 阳极 ，即底 发射倒 置 OIED(InvertedBottom 等优点 ，它在手机 、车载显示、电视 、照明以及军事领 OLED，IBOIED)．这样 ，在 a—SiTFT制成之后可直 域都有十分广阔的应用前景．OLED按其驱动方式 接溅射 ITo 电极层，从而避免了在有机层之上制备 可分 为 无 源 驱动 OLED(PassiveMatrixOLED， ITO顶 电极 时对有机材料 的损伤[3]．但 是一般 PM OLED)和 有 源 驱 动 OLED (ActiveMatrix IB0LED器件 中金属 阳极 ／有机材料层界面处存在 OLED，AM—OLED)两种．PM一0LED的结构简单 、 较高的空穴注入势垒，并且在 ITO阴极 ／有机材料 成本低 ，但不适用于高信息含量显示屏 ；AM—OLED 层界面处存在较高的电子注入势垒 ，因此导致器件 不仅具有更快的响应速度 、更高的对 比度 ，而且工作 的性能特别差．因而如何改善 IB0LED 中载流子 的 时不需要瞬态高亮度，有利于实现高信息含量显示 注入，尤其是 电子从 ITO 阴极到电子传输层的注入 屏．因此 ，AM OLED 已成为 OLED显示技术 的主