MOSFET噪与热载流子效应研究.pdfVIP

摘要 摘要 随着MOS器件尺寸逐渐减小，由热载流予效应导致的损伤变得越来越严重， 已成为影响器件性能的主要失效机制之一。为了保证使用的可靠性同时尽可能地 降低成本，人们迫切需要一种可靠、快速、成本低廉的无损伤热载流子效应预测 方法来代替传统的电参数退化表征方法。 本文介绍了MOS器件热载流子效应及1／厂噪声物理机制。在此基础上，进行 了噪声与热载流子相关性实验，获取了大量热载流子应力前后MOS器件的电参数 及噪声参数数据，并对MOS器件抗热载流子能力的1／fl噪声表征进行了深入研究。 本文取得了以下研究成果： 分别在三种栅压应力下对MOS器件进行热载流子注入实验，发现不同栅压应 力下的热载流子获得不同能量，从而形成高能和低能热载流子。在MOS器件栅氧 化层中，高能热载流子打断硅硅键，低能热载流子打断硅氢键、硅氢氧键，激发 产生氧化层陷阱以及深、浅能级的晃面态等缺陷。这些缺陷引起不同程度的闽值 电压漂移、跨导退化及1／厂噪声参数退化，严重的还引起器件的失效。 本文发现与传统的电参量相比较，噪声参数可以更敏感的反映器件在各种应 力下的热载流子效应损伤。噪声指数Y的变化与器件不同应力下的栅氧缺陷分布特 性相关。基于Si／Si02界面态和氧化层陷阱形成理论，深入讨论了该类器件热载流 子注入对1／厂，的影响，提出了用噪声参数D厂表征三种栅应力下MOS器件抗热 载流子损伤能力的方法。 本文结果为1／厂噪声用作MOS器件热载流子损伤机理研究的新工具，对其抗 热载流子性能进行无损评估提供了理论依据与数学模型，并且通过实验给予验证。 关键词：MOS器件热载流子效应1／，噪声无损评估 Abstract 3 Abstract WiththedecreaseoftheMOSdevices carriereffectfailuremoreand size，hot get more becomeoneofthemainfailuremechanisms．Inordertoassurethe heavy,it the the of s0．me their needanew reliability device，at time，decreasecOSt，one to nondestructiveforecastmethodsubstitutetraditional electricityparametermethod， the methodbe andlowcost． Dew must reliable，fast Introducedhotcarriereffectand mechanism 1／fnoise inthis on a it,had paper,based about of andhot of the noise carrier．Lots experimentrelationship parameter