掺杂gdvot;,4gt;晶体的生长及其光谱特征.pdfVIP

摘要 III 摘 要 GdV04晶体是一种优良的激光基质材料，本文对其进行了研究，包括生长 工艺、缺陷、稀土离子的掺杂、光谱分析以及相关计算。 论文对晶体提拉法生长的装置、过程以及影响晶体生长的因素进行了详细的 分析，确定了合适的生长工艺参数：转速为20r／min左右；提拉速度为l一2mm／h。 长尚属首次。 通过X射线粉末衍射实验确定了晶体的晶胞参数，结果表明稀土离子的掺 杂对晶体结构的影响不大。采用侵蚀法对晶体进行了位错分析试验，对晶体宏观 和微观缺陷进行了分析。 对Pr：GdV04晶体的吸收光谱进行了测试，获得了晶体的轴谱图、伊谱图和巧 通过对吸收光谱和荧光光谱的分析，确定了晶体中P，离子的能级，并根据 并且据此参数计算了在GdV04晶体中prs+离子能级的系列光谱参数。 光光谱，通过光谱分析确定了Yb3+离子的能级，并分别计算了Yb：GdV04晶体的 谱线强度、振子强度、跃迁几率和能级寿命等光谱参数。 关键词激光晶体；GdV04；生长；光谱 Abstract ABSTRACT The isakindofexcellentmaterial丛laserhost．Inthis GdV04 crystal crystal thesisits andrareearthion growthtechnology,defect dopant，opticalspectrum andtherelatedcalculationswere analysis investigated． The andinfluencefactorsof were in device，process crysmlgrowthanalyzed aLs technical were therotationrateofabout obtained，such detail．Optimumparameters 20r／minand rateof pulling l～2mm／h．High quality were Czochralski of Pr：GdV04 crystalsgrown晰tll method，especially,thegrowth was hereforthefirsttimetoour reported knowledge． Cell ofthe weredeterminedXRD．Theresultsshowthat crystals parameters by structurewasnotaffected after wimrareearthions．The crystal largely doping dislocationWastested