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习题报告三 周佩奇 问题描述 绘制二极管的I-V关系图 问题分析 二极管的的伏安特性主要分为三个区，正向导通区，反向截止区和反向击穿区。 当二极管外加正向电压（Vd0)，且VdUT时，二极管被导通，Id随Vd按指数规律变化，即Id=Is*(exp(Vd/UT)-1), 其中k=1.38e-23,q=1.6e-19,T=300,Is=1e-14,UT=kT/q; 当二极管外加反向电压（Vd0)或正向电压VdUT时，二极管截止，Id≈0; 当二极管反向击穿电压值大于击穿电压Vb时，二极管被反向击穿，Id随Vd近似呈线性变化,Id=aVd+b 模型建立 由于UT一般很小，可忽略不计，若取Vb=5V,电压取值范围为（-6V,0.8V），击穿区线性斜率为e14，因此我们画图时将Vd分为三段：Vd≥0,-5Vd0,以及-6≤Vd≤-5。当Vd≥0时，Id=Is*(exp(Vd/UT)-1)；当-5Vd0时，Id=0;当-6≤Vd≤-5时Id=aVd+b,其中a=e14,由函数在（-5,0）处的连续性知，b=5a=5e14。 我们用matlab分段画图，注意将每个图画好后hold on,使三段的图形显示在一起。 程序 clear clc global Vd1 global Id1 global Vd2 global Id2 global Vd3 global Id3 vb=5; a=1e14; Is=1e-14; T=300; k=1.38e-23; q=1.6e-19; UT=k*T/q; b=5*a; Vd1=0:0.01:0.8; Id1=Is*(exp(Vd1/UT)-1); plot(Vd1,Id1) hold on Vd2=-5:0.01:0; Id2=0; plot(Vd2,Id2,r) hold on Vd3=-6:0.01:-5; Id3=(a*Vd3+b); plot(Vd3,Id3,g) axis([-6,1,-0.2,0.2]) title(二极管基本I-V关系) xlabel(Vd) ylabel(Id) text(-0.8,0.1,正向导通区\rightarrow ) text(-3,0.025,反向截止区\downarrow) text(-5,-0.1,\leftarrow反向击穿区) grid on 五．程序运行结果 六．结果分析 绿色区为反向击穿区，Id与Vd呈线性关系，由于斜率很大，故直线几乎与横轴垂直，即二极管被反向击穿，微小的电压变化将引起巨大的电流变化，易使二极管烧毁，实验中应尽量避免发生；红色区为反向截止区，Id=0不随电压变化而变化，二极管截止，无电流通过，相当于开路；蓝色区为正向导通区，Id随Vd指数变化，二极管正向导通。 将matlab的绘制图像与二极管的实验图像进行比较。下图为二极管伏安特性的实验结果： 可以看到，matlab绘制图像与之还是存在一定的缺陷，一是我们绘图时忽略了正向阈值电压VT，实际图像里当Vd达一定值VT时Id才开始随Vd变化；而是我们将截止电流设为0了，而实际上截止电流有一个微小的值；三是我们假定了击穿区的Id随Vd是线性变化的，与实际关系也有误差。 Diode BJT 的电流特性曲线 一：问题提出 并假设反偏击穿后i呈线性变化，斜率为e14. 利用 以下参数建立二极管的MATLAB模型： UT=kT/q，T=27℃，Is=1e-14；vb=5 ；电压取 值范围为（-6v,0.8v）要求：编写M文件模型并给出结果I-V曲线图 提示：分段（未击穿，击穿）考虑， 注意对结果图形的观察和说明。 二：分析与建模 然后我分析了BJT的输出电流关系，由于没有经验公式，也没有理论公式，故采用数据拟合的方式：网上找到-Vce的 在matlab中用polyfit 函数分成两段拟合，因为有一个比较明显的拐点，第一段用2阶拟合（之前试过三阶和四阶拟合但是结果偏差较大，故弃用，得到的曲线不是很理想，第二段用一阶即最小二乘法拟合，用二阶和三阶都会有明显的波动，得不到平滑上升的曲线，最终确定方案，得到运行结果。 结果不是很理想，在拐点处有一个断点，但是基本符合理论的曲线，线与实验得到的点符合得也很好，因为这种拟合很基本，不再赘述。 三：拟合结果 BJT： 四：改进措施 2：BJT的图像拐点拟合的曲线有断点，正在研究改进措施。 附录：程序清单1：diode %%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%% %Some Physical CONSTANTS T=300; Is=10^(-14); k=1.38*10^(-23); q