a-SiH中的致Er荧光及缺陷荧光研究.pdfVIP

摘 要 n从激发态4Il3／2到基态4Il5n的4f内壳层激发，能够使其所掺杂的材料激发fn 】54 LLm荧}匕。由于此波长与常用的si基光纤的最小传输窗¨对应，因而吸引r许 彩研究者从事Er掺杂材料的研究。有报道，Er掺杂a—si光致荧光较时掺杂c-si 订更高的发光效率。对于Er3+在a．si中的激发机制，曾有人提出r光致电r-在si 悬挂键(sjDBs)上复合，将能量以非辐射的方式转移到近邻的Er”的理论。这个 过程破称之为“缺陷相关俄歇激发(defect-related Auger—excitatlon，DRAE)”。 本文研究，N，Er的联合掺杂对a—si的作用。所有样品采用射频辅助磁摔溅射 P【J的发光强 PL的热猝灭效应下降。但ljr 方法制备。随着N掺杂浓度的增加，Er PL的影 度也随之减少。本实验还进…步研究了退火处理对Er掺杂a—s-N：I{的Fr 响，发现Er掺杂a—siN：H的ErPL强度由于退火而增加。 在DRAE模型中，siDBs对Er”的激发起到了重要的作用。为，研究这种f1 …，我们制备了各种不同siDBs密度的Er掺杂a．si：H样品。本文采崩以F二i种力 绫L女变si 火。往前两种方法中，Er PL的发光强度都随着siDBs密度的增加而减少。在退火 DBs密度 处理的情况下，ErPL的变化分为两个阶段：随着温度上升到250℃。sj F降，Er PL的发光强度增加；随着温度继续上升到350℃，ErPL的发光强度也相 J电j：升，但siDBs密度也同向增加。ErPL强度的增加可能是由于退火引起的Er” 化学结合环境的变化。 本文还研究了siDBs在Er掺杂a．Si：H的缺陷PL(DefectPL)中的作_L}j。si DHs密度采用退火方法改变。随着siDBs密度的增加，缺陷PL的强度减小。缺陷 PI。强度的减小可能是因为随着siDBs密度的增加，与多声子有关的。从导带到悬 卡{键的非辐射通道迁移的增加而引起的。 关键词：铒掺杂；氢化非晶硅；光荧光；硅悬挂键；退火处理 Abstract Er an materiafscanemit at dueto intra一4f’transition{tomthc doped IightI、54“m excitedstate the state theE，ion this 4IⅢto 4Il5彪in Because ground wavelength coincideswiththeminimumlosswjndowofconVentionalsilica_based opticalnber，many the of worksare deVotedto Er materials．Photo currently study doped Juminescence(PL) ofEr haVea to to dopedamorpho