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ITO靶材热等压致密化工艺与理论.pdf
摘 要
Tin
oxjde)靶材对充
制备商密度:高纯度、高均匀性和犬尺寸ITO(Indium
分弱焉我溪铟资源侥势,滚交镏产燕缮掏矮有重娶慧义。本文研究了像学菸滚淀
一““~—一’一
,…一——~
法制备ITO靶材热等静滕致密化工艺。选用热等静压致密化工艺的依据怒用这
_一 “—一_—一 1 一_。^ ~
释方法容器获褥羧密落。
、
r
、7用化学共沉淀法制取的ITO复合粉末经10000c以上高温处理后,平均粒
、
裁i3。如擞,粒度分枣为潦正态分布,援缀戏秀鼙一立方秘。该释粉裹瀵蘧蒸等
静压致密化工艺繇求。
蔫嚣获释靛蹇橡狡佟龟套,嚣襄纯液作传袋分凌,凌2.0T/cm2篷力-V对
ITO粉米进行冷等静成型。成型后坯体相对密度为60%旋右。过大的压力会引
邃坯律静开袈。 ’
000。C的濑度下在空气中进行脱氧顶处理有利于
对1TO复合粉末在离于1
ITO靶榜热等静藤致密像:有弱予降蘸HIP强震(可海低10§一i8锻:);露裁予
觞可麓瞧。
本研究中采用Ar作为热等静压传艨介质;选用碳钢作为热包套;比较研究
Pt、Nb、Ni、Cu秘不锈镄之君,挽先霞震Cu作为疆瑟稽精。磺突了各工艺参数
对ITO靶材密度的形响,发现最后温度魁最重要的工艺参数。优化的HIP工艺
条俘是、:蔽塞温赛i000。C左右,簸高压力130MPa左右,绦溢辩鬻2一强。
用上述优化工艺参数进行热等静压致密化,获得了相对密度为99.6%o,成
谂分布麓匀豹ITO靶静。该靶耱懿工戴往镀簇蜜验表稍,镀貘瑗萤符合工翌要
求。还将该靶材性能与美国、德圈商用靶材作了对比分析。
借臻分褥冀健离瓷榜料静热簿静嚣致密纯邀程静方法,本文将1TO这种氧
化物陶瓷靶材的致密化工艺过獠分为连续的三个阶段,用相关理论对每一阶段
俸了绉述,并疆戴解释了ITO靶橱熬等静匿致密亿部分特征太u、
Abstract
Tin with
ofITO(Indium co”precipitation黼
Synthesis Oxide)powders
were in
ceramics
ofITO
wellasCIP andHIPdensification investigated
process
thisthcsis.
and tom“‘
TheITO obtained followinghigh
using
powders co—precipitation
tohavethe
weredemonstratedaverageparticle
perature(10000C)treatment
and
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