PLZST复合钛矿结构弛豫反铁电材料的化学合成.pdfVIP

亟堡堡三盔堂堕主兰焦堡壅————!!曼 摘 要 ／近年来，具有复合钙钛矿结构的弛豫反铁电材料一稀土掺杂锆钛锡酸 0_35≤v≤O．70：0．05≤z≤O．20)的反铁电．铁电相变所引起的巨大的电致伸 缩效应，受到了人们的广泛关注。十本文在充分分析本领域国内外研究现状的 基础上，开展了以化学法为主要手段的PLzsT合成与结构研究，主要包括 以下几个方面： 弛豫型铁电、反铁电材料大多在准同型相界(MPB)附近表现出优异 的介电性能，本文根据准同型相界(MPB)附近的成分来进行组份设计。 (通过化学共沉淀法制备前驱体，使各组份能以原子尺度进行混合，提 高反应活性，有效降低合成温度，最大限度地减少铅挥发造成的污染，同时 避免焦绿石相的生成。彳本研究就如何用化学共沉淀法制备PLzsT前驱体进 行探讨。陪适的工艺条件为：选择以各离子的可溶性盐为原料，以氨水为沉 淀剂，通过共沉淀得到白色无定型前驱体，最佳的PH值范围为8．5～10， 溶液的浓度越高越有利于固相反应合成中晶体的形成，适当的沉淀后处理过 程如水洗、干磨能促进PLzsT晶体的生成。＼L 采用固相反应合成PLzsT。不同工艺条件下形成PLzsT晶体的情况也 不同，合适的工艺条件为：750℃保温2小时就可以生成PLzsT晶体；在一 定的成型压力下可以促进PLzsT晶体的长大；利用退火来消除晶体的内应 力也有利PLzsT晶体的长大；加入过量PbO有利PLzsT晶体的生成。 ／xRD分析表明：用化学法合成的PLzsT具有稳定的结构。在较宽的煅 烧温度范围内都能保持其单一的钙钛矿相。通过sEM的观察发现用固相法 生长的PLzsT晶体不完整、颗粒尺寸小、缺陷多。心 关键词： 复合钙钛矿结构j 准同型相界F PLz8Ⅸj 弛豫反铁电j 前驱蝰 共沉淀 ^ +本研究得到国家自然科学基金资助(批准 坚苎!!!!!!!堡21型!!竺堕!堕!!!堕!塑!!!!!!!旦 垒!!!!!生 Abstract relaxor Lead anemionhavebeen tothe antiferroelectric Much paid LanthanumzirconatestannateTitanace Pbl啪Lax(Zrv Ti：Snl_v_z)03(PLzST， peroVskite 0．01≤x≤0．05；O．35≤y≤O．70；0．05≤z≤0．20)withcomplex because eIectrostrictionInthis fhbricationof structure of砥hIgh paper，the been PLzsTwithchemical has studied． method—coprecipitation Therelaxorferroelect“candantiferroelectr-cmaterials mostly perform remarkabledieIectrio near Phase