PZT基NiTMAPZT复合材料的制备及其力、电性能.pdfVIP

摘要 锆钛酸铅(PZT)陶瓷具有非常稳定的压电效应，高的机电耦合系数、较好机械品 质因子，在作为传感器、驱动器应用时，具有高灵敏度、低电噪声等优势，但由于其力 学性能较差，严重限制了它的应用范围。为了充分发挥PZT的性能优势，改善其力学性 SMA薄膜复合，用NiTi 能，本文尝试将PZT与NiTi NiTiSM胛ZT异质复合材料，为PZT的应用开拓新空间。 本文采用磁控溅射法直接在PZT基体上沉积NinSMA薄膜，再经晶化处理而制备 NiTi 氩气工作压强、溅射功率、基体表面状态、不同加热方式、晶化处理温度、保温时间等 因素对NiTiSMA薄膜表面形貌、NinSMA／PZT复合材料膜基结合状态、沉积速率、 NiTi SMA与PZT基体之间的成分扩散和NiTiSMA薄膜物相组成的影响，以确定适宜 SMA／PZT复合材料的耐压性能，定性 的复合材料制备工艺；使用显微硬度计测试Nin SMA／PZT 分析NinSMA薄膜与PZT基体之间的结合强度；采用三点弯曲法测试NiTi 复合材料的抗弯强度，分析NinSMA对PZT力学性能的影响；使用ZJ．3A型准态仪、 AutomaticLCRMeter4225测试Nin SMA／PZT复合材料的压电常数d33，机电耦合系数 SMA薄膜对PZT压电性能的影响。 10，介电损耗t98，考察Nilri 实验结果表明：基体经过严格清洗，基体预热温度为150℃，氩气工作压强0．7Pa， 溅射功率150W时制备出的NmSMA薄膜表面空洞、缝隙等缺陷较少，颗粒均匀，膜 基结合状态较好，薄膜沉积速率适宜；采用两步法晶化处理的NinSMA薄膜与基体之 间的成分交换范围较小；使NiTiSMA薄膜晶化颗粒尺寸均一，缺陷较少，膜基之间结 合紧密的晶化温度为600℃，保温室间为30min。 力学性能测试结果表明，所制备的N讯SMA／PZT复合材料所承受的最大压力为 SMA复合材料的抗弯曲强度比纯PZT提高22．9％。 1009f，结合力约为0．49N；NiTi 所制备出的Nin SMA薄膜与PZT基 机电耦合系数K提高0．28％，介电耦合系数t96降低O．76％。NiTi 体之间良好的界面结合结构及界面附近存在源自膜／基间晶格差异的约束应力，有利于电 偶极子的定向运动，保障了PZT基体压电性能的充分发挥。 关键词： 磁控溅射；NinSMA薄膜；NinSMA／PZT复合材料；力学性能；电学性能 Abstract Leadzirconate ceramichas stable titanate(PZT)piezoelectricvery piezoelectriceffect，hi曲 coefficientand mechanicalfactorwhenitisusedas electromechanical good quality coupling its mechanicalrestricts the sensorordfiver．But the poor property exerting application．For ofthePZTand itsmechanical