ULSI化学机械抛光的研究与展望.pdfVIP

维普资讯 第 35卷第3期 微 电 子 学 VoL35，No3 2005年 6月 Microelectronics JuIL2005 文章编号：1004-3365(2005)03-0226-05 ULSI化学机械抛光的研究与展望 张楷亮，宋志棠，封松林，ChenBomy (中国科学院 上海微系统与信息技术研究所 半导体功能薄膜工程与技术研究中心，上海 200050) 摘 要： 随着半导体行业的飞速发展，集成电路特征尺寸的微细化，半导体薄膜表面的高平坦化 对器件高性能、低成本、高成品率有着重要的影响。作为唯一能实现全局平坦化方法的化学机械抛 光(CMP)，近年来发展迅速，应用广泛。文章综述了化学机械抛光技术的发展现状：包括化学机械 抛光设备、抛光液、抛光机