具有非均匀交叉分布P柱区的新型高压SJ LDMOS结构.pdfVIP

第34卷 第5期 固体电子学研究与进展 Vo1．34，No．5 ，A 2014年 10月 RESEARCH PROGRESSOFSSE 0ct．，2014 硅 微 电 }《 子 }《 ～ 一 NovelHighVoltageSJLDMOSStructurewith Non—uniform Cross—distributedP—pillar ZHU Hui LIHaiou LIQi· (SchoolofInformationandCommunication，GuilinUniversityofElectronicTechnology，Guilin，541004，CHN) (StateKeyLaboratoryofElectronicThinFilmsandIntegrated