5.场效应管放大电路.ppt

5 场效应管放大电路;5 场效应管放大电路;5.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管;P 型硅 衬底 ;N沟道增强型MOSFET的符号：;P 型硅衬底 ;没有导电沟道;出现N型沟道;反型层就构成S,D之间的导电沟道.;迅速增大;在 vDS 作用下开始导电时的 vGS 叫开启电压 VT;夹断区;因而vDS上升iD趋于饱和，这时输出特性曲线斜率变为０;预夹断的临界条件是:;饱和区;MOSFET的输出特性是指在栅源电压vGS一定时， 漏极电流iD与漏源电压vDS之间的关系，即:;4V;∴特性曲线 可以分为三个区域:;∴(1)式可变为：;③ 饱和区：（恒流区、放大区）;(2) 转移特性;A;由于饱和区内， iD受vDS的影响很小，因此，在饱和区内不同vDS下的转移特性基本重合。;5.1.2Ｎ沟道耗尽型MOSFET;SIO2;电路的符号:;当vGS为负电压到达某值时，以至感应的负电荷消失， 耗尽区扩展到整个沟道，沟道完全被夹断。;-2V;耗尽型MOS管的工作区域同样可以分为截止区、可变 电阻区和饱和区;;;P沟道增强型MOS管沟道产生的条件为:;;5.1.4 沟道长度调制效应;;5.1.5 MOSFET的主要参数;3、饱和漏极电流IDSS：;二、交流参数;在vDS等于常数时，漏极电流的微变量和引起这个变化 的栅源电压的微变量之比称为互导:;近似估算gm的值:;4、最大栅源电压V(BR)GS : 栅源间反相电流开始急剧上升时的vGS值; 5.2 MOSFET放大电路;若开启电压为VT，NMOS工作于饱和区，则漏极电流为:;若计算出:;;Ｎ沟道增强MOS管直流电路计算步骤:;P沟道MOS管电路的分析与N沟道类似，但要注意 其电源极性与电流方向不同。;;例5.2.2 电路如图所示：;;解:当vi =0时,栅极相当于接地,且Rg上无电流通过;;;令vi=0，;Q;N沟道增强型MOS管:栅极电流为零，栅源之间只有 电压vGS存在;式中第一项为直流或静态工作点电流:;要求上式中第三项必须远小于第二项，即:;因此，可画出图所示的共源极NMOS管的低频小 信号模型如图所示。;例5.2.4如图电路，设：;求FET的互导和输出电阻;例5.2.5 电路如图所示，MOS管的参数为;;;Ri;解：图为源极输出器,直接画出小信号等效电路:;Ri;令vs=0，保留RS,若有RL,应将RL开路,然后在输出端加 一测电压vi，画出求源极跟随器输出电阻R0的电路:;;5. 3 结型场效应管;符号;符号;N沟道JFET:当vGS0,则栅极和沟道间 的PN结反偏，栅极电流;先假设vDS=0。当vGS由零往负向增大时;|vGS|进一步增大到某一定值|VP|时，两侧耗尽层在 中间合拢，沟道全部被夹断.;;;∴增加vDS，又产生了阻碍漏极电流iD提高的因素;当两耗尽层在A点相遇时，称为预夹断;沟道一旦在A点预夹断后，随着vDS上升，夹断长度会 有增加;此时：从源极到夹断处的沟道上，沟道内电场基本上不 随vDS改变而变化;由于管子的VP为一定值;vGS=0V;（1）JFET栅极、沟道之间的PN结是反向偏置的， 因此，iG≈0, ∴输入阻抗很高.;（1）I区为截止区（夹断区） 此时，vGS＜VP，iD=0;;如图:当vDS大于某一定数值后，不同vDS的转移特性曲线是很接近的，这时可以认为转移特性重合为一曲线，使分析得到简化。;vDS=1V;rds通常在几百千欧的数量级，一般负载电阻比rds 小很多，故此时可以近似认为rds开路。;共源电路;;;（1）电压增益;5.5 各种放大器件电路性能比较;但在某些特殊的电路中，当源极的电位很高或很低时，为了减轻源衬间电压对管子导电性能的影响， 可将源极与衬底连在一起。;(3) JFET的栅源电压不能接反;例5.5.1 试设计一放大电路，要求其噪声低，能与具有高内阻的信号源匹配，且有较高的上限频率（＞1MHz）。（1）确定电路方案；（2）选用放??器件和电路元件参数；（3）导出其中频区源电压增益AVSM、Ri和R0的表达式；（4）算出电路的上限截止频率。;（2）选用放大器件和电路元件参数 T1选用JFET CS146，其工作点上的参数为：;可得中频小信号模型:;;;;