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2016-01-21 发布于山西
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光刻工艺及设备培训-7月23日.pdf

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光刻工艺及设备培训-7月23日

光刻工艺及设备培训加工平台光刻简介光刻的本质是把制作在掩膜版上的图形复制到以后要进行刻蚀和离子注入的晶圆上。其原理与照相相似，不同的是半导体晶圆与光刻胶代替了照相底片与感光涂层。光刻流程图前部工艺清洗表面处理涂胶前烘对准曝光坚膜显影后烘核心工艺否去胶检查黄光室通过刻蚀注入基本工艺流程 • 旋转涂胶 •对准和曝光 • 显影光源光刻版光刻胶衬底光刻胶光刻胶是一种有机化合物，受紫外曝光后，在显影溶液中的溶解度会发生变化。晶片制造中所用的光刻胶通常以液态涂在硅片表面，而后被干燥成胶膜。正性光刻胶正性光刻胶曝光后软化变得可溶负性光刻胶　负性光刻胶在曝光后硬化变得不能溶解。 UV 负性胶衬底显影正性胶衬底 resister 衬底光刻版光刻胶表面处理 •表面处理晶圆容易吸附潮气到它的表面。光刻胶黏附要求要严格的干燥表面， •涂胶所以在涂胶之前要进行脱水烘焙和黏附剂的涂覆。脱水烘焙的温度通 •前烘